Silicio Propriedades Eletricas
Mostrando 1-12 de 45 artigos, teses e dissertações.
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1. Nitretação por descargas elétricas da liga Ti-6Al-4V com adição de pó abrasivo SiC ao fluido dielétrico
RESUMO O processo de nitretação que usa Usinagem por Descargas Elétricas é um método que associa a capacidade de usinar superfícies complexas com a obtenção de tratamento termoquímico de nitretação. A fonte de nitrogênio é proveniente da uréia, que compõe o fluido dielétrico juntamente com água deionizada. A liga de titânio Ti-6Al-4V possui
Matéria (Rio J.). Publicado em: 16/09/2019
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2. Processamento, propriedades e aplicações das cerâmicas de nitreto de alumínio
Resumo O nitreto de alumínio (AlN) é considerado um adequado material para substratos e materiais de encapsulamento de dispositivos microeletrônicos devido à elevada condutividade térmica, às excelentes propriedades elétricas e ao coeficiente de expansão térmica próximo daquele observado para o silício. Estas propriedades tornam o AlN um excelente
Cerâmica. Publicado em: 2017-12
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3. Propriedades eletromecânicas de nanoestruturas por microscopia de varredura por sonda
Nesta tese apresentaremos estudos de propriedades eletromecânicas de nanotubos de carbono de parede simples (SWNTs), de lubrificantes sólidos (grafeno, dissulfeto de molibdênio e talco (ou pedra sabão)) e também de outros materiais esfoliáveis como seleneto de bismuto e mica. Durante a realização de todo o trabalho no Laboratório de Nanoscopia do DF
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/03/2012
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4. Caracterização elétrica de filmes finos de telureto com nanopartículas de ouro depositados pela técnica sputtering. / Electrical characterization of tellurite thin films containing gold nanoparticles deposited by sputtering technique.
Este trabalho tem como objetivo a produção e caracterização elétrica de filmes finos de telureto com nanopartículas de ouro para aplicações em microeletrônica. Filmes finos foram produzidos por magnetron sputtering a partir de alvos de telureto cerâmico e de ouro metálico. Foi desenvolvida metodologia adequada para a nucleação das nanopartícula
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/02/2012
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5. Propriedades elétricas e microestruturais de varistores à base de SnO2 sinterizados por microondas
Foi feito um estudo das propriedades microestruturais e elétricas de varistores à base de SnO2, sinterizados por microondas a 1200 ºC, com uma taxa de aquecimento de 120 ºC/min e tempos de tratamento de 10, 20, 30, 40, 50 e 60 min. O sistema utilizado neste estudo foi de (98,95-X) %SnO2.1,0%CoO.0,05%Cr2O3.X%Ta2O5, onde X corresponde a 0,05 e 0,065 mol%.
Cerâmica. Publicado em: 2012-06
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6. Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso / Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso
O silício é o material dominante na área de microeletrônica devido à conveniência de suas propriedades elétricas, mas em detrimento da natureza de sua estrutura eletrônica suas propriedades associadas a foto-emissão são de rendimento muito baixo, fato que descarta sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos, como: leds, lasers, displays, e div
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2011
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7. Influência do ataque anisotrópico e do processo de queima de pastas metálicas em células solares industriais
O objetivo desta tese é analisar a influência do ataque anisotrópico e do processo de queima de pastas metálicas em células solares industriais. Para implementar a malha metálica em células solares por serigrafia é realizado um passo térmico de queima de pastas metálicas. Durante este processo, a pasta de prata deve perfurar o filme antirreflexo pa
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/06/2011
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8. Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas / Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas
Filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram desenvolvidos para aplicações fotovoltaicas. Esses filmes são atualmente muito utilizados em células solares HSJ como camada absorvedora devido às suas boas propriedades ópticas e elétricas, associado a um band gap razoavelmente baixo e um reduzido custo de produção. Os filmes foram sintetiz
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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9. Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas / Espectroscopia de Impedância aplicada em Heterojunções para Células Solares Fotovoltaicas
As propriedades elétricas das heterojunções de Alumínio/Silício-p monocristalino foram estudadas pela técnica de espectroscopia de impedância e análise de capacitância em função do potencial. Estas técnicas não são destrutivas, nem invasivas e conta com elevada precisão. Quando associadas a outras técnicas podem fornecer informações compree
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011
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10. Efeito de reoxidações e de tratamentos térmicos com peróxido de hidrogênio na região interfacial SiO2/SiC
Na busca de um semicondutor adequado para substituir o Si em dispositivos micro e nanoeletrônicos em aplicações que exijam alta freqüência, alta potência e/ou alta temperatura, o carbeto de silício (SiC) aparece como uma opção, pois, além de apresentar propriedades adequadas, pode-se crescer termicamente um filme de SiO2 de maneira análoga ao Si.
Publicado em: 2011
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11. Efeitos da irradiação de ínos [i.e. íons] sobre as propriedades elétricas de nanotubos de carbono e nanocamadas de grafeno
Analisamos o efeito da irradiação de íons sobre a resistência elétrica de amostras de nanotubos de carbono e nanocamadas de grafeno depositadas sobre contatos elétricos de tungstênio depositados sobre uma lâmina de silício oxidado. A caracterização inicial da resistência das amostras foi feita com medidas da corrente, através das estruturas, com
Publicado em: 2011
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12. Estudo das propriedades supercondutoras da fase T2 no sistema Nb-Si-B / Study of superconducting properties of the T2 phase in the system Nb-Si-B.
Este trabalho tem como objetivo o estudo da influência do boro na fase αNb5Si3 (Fase T2) a baixas temperaturas analisando suas propriedades elétricas e magnéticas. Para o estudo deste tema as amostras foram preparadas, seguindo a estequiometria Nb5Si3-xBx, via metalurgia do pó e também por fusão a arco, com x dentro do intervalo limitado por 0
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/08/2010