Semicondutores Metalicos
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25. Modelo teorico para o transporte em nanoestruturas
Neste trabalho estudamos, de maneira teórica, as propriedades de transporte de nanoestruturas tanto semicondutoras quanto metálicas que possuem um confinamento bidimensional. O confinamento lateral gera nanofios cuja condutância é quantizada. No caso de heteroestruturas de semicondutores, utilizamos modelo dentro das aproximações de função envelope e
Publicado em: 2002
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26. Sistemas quimicos integrados : oxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5) obtidos pelo processo MOD nos poros de matrizes com esqueleto niobofosfato e de silica (VYCOR)
Este trabalho reporta a preparação e caracterização de sistemas químicos integrados constituídos de matrizes porosas com esqueleto niobofosfato e de sílica (vidro poroso Vycor - PVG) contendo óxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5), obtidos in situ nos poros, via impregnação-decomposição de compostos metalorgânicos (MOD). O esqueleto poroso n
Publicado em: 2001
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27. Study of PbTiO3 (PT) ceramic powers using the polymeric precursor method. / Estudo de pós cerâmicos de PbTiO3 utilizando-se o método dos precursores poliméricos.
NO ESTUDO DE PÓS CERÂMICOS DE PbTiO3 (PT) UTILIZANDO-SE O MÉTODO DOS PRECURSORES POLIMÉRICOS, foi preparada uma solução precursora de cátions métálicos, empregando-se ácido cítrico como agente quelante e etilenoglicol como agente esterificante e polimerizante. Esta solução, foi submetida ao tratamento térmico, à temperaturas ao redor de 300 C,
Publicado em: 2000
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28. Estudo dos contatos ohmicos n-GaAs/AuGeNi e p-GaSb/AuZn
Neste trabalho foram estudadas algumas propriedades de contatos ôhmicos obtidos pela deposição de filmes do tipo (AuGe), (AuGeNi+AuNi) sobre substratos n-GaAs e filmes do tipo (Au+Zn+Au) sobre substratos p-GaSb. Foi realizado um estudo comparativo entre três métodos de medida da resistência específica de contato rc (W cm2); encontrou-se que o método
Publicado em: 1989