Semicondutores Magneticos
Mostrando 1-12 de 40 artigos, teses e dissertações.
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1. Síntese e caracterização de nanopartículas semicondutoras com estrutura tipo "núcleo/casca" CdxMn1-xS/CdSe obtidas por rota coloidal aquosa
Nanocristais semicondutores com diâmetro inferior a 10nm, também conhecidos como quantum dots, têm sido alvo de muitos estudos devido a suas potenciais aplicações tanto na engenharia como na área biomédica. Semicondutores II-VI dopados com Mn2+ tem atraído muita atenção devido à mudança das propriedades ópticas destes semicondutores magnéticos.
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/10/2011
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2. INVESTIGATION ON THE MAGNETORESISTANCE EFFECT IN ORGANIC SEMICONDUCTORS USING THE MAGNETIC FIELD MODULATION TECHNIQUE / ESTUDO DO EFEITO DE MAGNETORESISTÊNCIA EM SEMICONDUTORES ORGÂNICOS UTILIZANDO A TÉCNICA DE MODULAÇÃO DO CAMPO MAGNÉTICO
Neste trabalho foi implementado um sistema capaz de realizar medições do efeito de magnetoresistência em dispositivos baseados em semicondutores orgânicos. Este efeito foi recentemente descoberto em dispositivos construídos utilizando filmes finos de materiais orgânicos não magnéticos de baixo peso molecular e poliméricos. O sistema implementado é
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 12/09/2011
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3. Estudo das propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos topológicos e fronteiras de grão em grafeno primeiros princípios
Nesta tese, realizamos cálculos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade de Kohn-Sham, com a aproximação do pseudopotencial, para investigar a energética e as propriedades eletrônicas e estruturais de grafeno policristalino e de grafeno contendo defeito topológicos. A motivação para esse trabalho decorre de serem frontei
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/08/2011
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4. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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5. Filmes nanométricos de FeN e ALN crescidos por sputtering e aplicações do efeito peltier
Neste trabalho será mostrado a habilidade da técnica de sputtering (dc/rf) reativo/não-reativo a baixa potência para o crescimento de filmes nanométricos de materiais magnéticos (FeN) e semicondutores de gap largo (AlN) assim como a aplicação tecnológica do efeito peltier por módulos comerciais de Telureto de Bismuto (Bi2Te3). De grande interesse t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/12/2010
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6. Manipulação de spin em diodos de tunelamento ressonante não-magnéticos tipo-n
Este trabalho teve como objetivo o estudo dos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante (RTD) assimétricos do tipo n não magnéticos. Utilizamos técnicas de medidas de transporte e magneto-fotoluminescencia resolvida em polarização. O grau de polarização ótica das regiões do QW e das camadas do contato foi estudado em função da voltagem
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/04/2010
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7. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/02/2010
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8. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
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9. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
Publicado em: 2010
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10. Produção e caracterização de filmes finos de ZnO / Production and characterization of ZnO thin films
Dentre os óxidos semicondutores, o ZnO tem recebido considerável atenção como um material promissor para diversas aplicações em dispositivos opto-eletrônicos devido a sua alta transparênciaóptica na faixa do visível e boa condutividade elétrica alcançada por dopagem com elementos adequados. O presente trabalho, desenvolvido parte no Laboratório
Publicado em: 2010
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11. Síntese e caracterização de filmes à base de Si e Ge dopados com espécies magnéticas / Synthesis and characterization of Si and Ge based films doped with magnetic species
Along the last few years, the doping of semiconductors (either II-VI, IV-VI, III-V, and group-IV compounds) with magnetic species have been extensively studied due to their potential applications in spintronics. Among them, Si- and Ge-based magnetic semiconductors are very attractive because of their total compatibility with the well-established current semi
Publicado em: 2010
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12. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010