Semicondutores De Potencia
Mostrando 1-12 de 49 artigos, teses e dissertações.
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1. Trabeculoplastia a laser Micropulso para glaucoma de ângulo aberto não controlado em pacientes peruanos
RESUMO Objetivo: Descrevemos o efeito redutor de pressão da trabeculoplastia com laser de micropulso (MLT) em pacientes com glaucoma de ângulo aberto (OAG) descontrolado. Design: Série de casos retrospectiva. Métodos: Foram revisados retrospectivamente 30 olhos com glaucoma de ângulo aberto (OAG) na Clínica Vista em Lima, Peru. Uma única sessão de tr
Rev. bras.oftalmol.. Publicado em: 2018-08
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2. DIAGNOSIS OF FAULTS IN POWER TRANSFORMERS USING SEMICONDUCTOR GAS SENSORS. / DIAGNÓSTICO DE FALHAS EM TRANSFORMADORES DE POTÊNCIA UTILIZANDO SENSORES DE GAS SEMICONDUTORES.
Esta dissertação introduz o estudo do uso de uma matriz de sensores de gases de dióxido de estanho na detecção de falhas em transformadores de potência, através dos gases dissolvidos no óleo. O objetivo desta pesquisa é analisar os dados obtidos pelos sensores de gás, utilizando algumas técnicas de reconhecimento de padrão, e desta forma, verific
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/08/2012
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3. Soft error mitigation in asynchronous networks on chip
O aumento agressivo das frequências de operação de sinais de relógio em tecnologias submicrônicas profundas chegou ao seu limite. O uso de relógios globais não é mais viável em tais tecnologias, o que fomenta a popularização do paradigma Globalmente Assíncrono, Localmente Síncrono na construção de sistemas integrados complexos, onde se emprega
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/08/2012
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4. Um MPSOC GALS baseado em rede intrachip com geração local de relógio
Devido à evolução das tecnologias nanométricas profundas em semicondutores, hoje é possível a fabricação de sistemas cada vez mais complexos em um único chip. Entretanto, esta evolução está inviabilizando, em alguns casos, práticas de projeto tradi-cionais. O desenvolvimento de sistemas complexos puramente síncronos começa a ser influenciado p
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/08/2012
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5. Uma proposta para o controle eletrônico de reguladores eletromagnéticos através do reforço série de tensão
A busca por soluções para os distintos problemas da qualidade da energia elétrica, com destaque às variações das tensões de suprimento, conta, na atualidade, com uma extensa gama de produtos visando, sobretudo, a regulação dinâmica da tensão de suprimento. Não obstante tal reconhecimento, os desafios por estratégias alternativas por compensadore
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/08/2012
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6. Efeitos de cargas não-lineares no dimensionamento de transformadores trifásicos de distribuição / Effects of non-linear in design of three-phase distribution transformers
O uso intenso de conversores que utilizam semicondutores no processamento da energia elétrica dentro dos equipamentos elétricos e eletrônicos traz grandes benefícios como menor custo, maior eficiência e mais conforto, contudo traz também desvantagens, pois, quando conectados ao sistema de distribuição de energia elétrica produzem correntes distorcid
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2012
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7. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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8. Estudo experimental da emissão dos modos TE e TM de um laser semicondutor sob realimentação ortogonal
Neste trabalho apresentamos um estudo sistemático da emissão de lasers semicondutores submetidos a uma realimentação ótica ortogonal. Após uma série de estudos anteriores da dinâmica em freqüência de diodos lasers com re-injeção ótica ortogonal, estamos analisando mais detalhadamente o comportamento das duas componentes de polarização da radia
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 16/09/2011
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9. Análise morfológica e química do Si corroído por jato de plasma a baixa pressão.
Atualmente, uma das mais importantes aplicações tecnológicas da corrosão por plasma em semicondutores é permitir a fabricação do silício (Si) suspenso e partes móveis que compõem um sistema microeletromecânico (MEMS). A formação dessas estruturas tridimensionais requer processos de corrosão com alta velocidade de corrosão, boa anisotropia, bai
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/04/2011
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10. Análise morfológica e química do Si corroído por jato de plasma a baixa pressão.
Atualmente, uma das mais importantes aplicações tecnológicas da corrosão por plasma em semicondutores é permitir a fabricação do silício (Si) suspenso e partes móveis que compõem um sistema microeletromecânico (MEMS). A formação dessas estruturas tridimensionais requer processos de corrosão com alta velocidade de corrosão, boa anisotropia, bai
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/04/2011
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11. Efeito do laser de baixa potência na cicatrização de ferida cirúrgica em ratos
OBJETIVO: Avaliar o efeito da terapia laser de baixa potência (TLBP) ë904 nm na cicatrização de feridas cirúrgicas em ratos. MÉTODOS: Foram utilizados 40 ratos Wistar, machos, divididos em quatro grupos, submetidos à incisão na linha Alba abrangendo pele, subcutâneo e musculatura abdominal, suturados continuamente por fios de nylon 5-0. Oito e quinz
Acta Cirurgica Brasileira. Publicado em: 2011-04
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12. Filmes nanométricos de FeN e ALN crescidos por sputtering e aplicações do efeito peltier
Neste trabalho será mostrado a habilidade da técnica de sputtering (dc/rf) reativo/não-reativo a baixa potência para o crescimento de filmes nanométricos de materiais magnéticos (FeN) e semicondutores de gap largo (AlN) assim como a aplicação tecnológica do efeito peltier por módulos comerciais de Telureto de Bismuto (Bi2Te3). De grande interesse t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/12/2010