Semicondutores De Oxido Metalico
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1. Texturização da superfície de silício monocristalino com NH4OH e camada antirrefletora para aplicações em células fotovoltaicas compatíveis com tecnologia CMOS = : Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology / Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da supe
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/08/2012
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2. Síntese, fotoluminescência e caracterização elétrica de nanoestruturas de ZnO
Nanofios semicondutores de óxido metálico apresentam enorme potencial em aplicações de nano-sensoriamento de diferentes gases e substâncias químicas e biológicas, bem como na aplicação a detectores UV-visível. Neste trabalho, desenvolvemos e aperfeiçoamos a síntese de nanofios de ZnO em substratos de safira (001), silício (111) e silício (100)
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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3. Low-cost microprocessed instrument for evaluating soil temperature profile.
Este artigo descreve um instrumento microprocessado de baixo custo para avaliacao in situ da temperatura em perfil de solo na faixa de -20,0°C a 99,9°C com armazenagem de dados de ate oito profundidades, de 2 a 128 centimetros. A temperatura do solo e de grande importância para o crescimento de plantas, absorcao de nutrientes, fluxo de gases e estrutura.
Pesquisa Agropecuaria Brasileira. Publicado em: 2011
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4. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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5. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão / Reference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversion
Fontes de referência de tensão e sensores de temperatura são blocos extensivamente utilizados em sistemas microeletrônicos. Como alternativa à aplicação de estruturas consolidadas, mas protegidas por acordos de propriedade intelectual, é permanente a demanda pelo desenvolvimento de novas técnicas e estruturas originais destes circuitos. Também se d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2009
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6. Optical properties of semiconductor type II quantum dots / Propriedades opticas de pontos quanticos semicondutores tipo II
No presente trabalho apresentamos um estudo da luminescência de érbio em nanocristais de silício (nc-Si) e nanofios de óxido de zinco (nw-ZnO). Os nanocristais de silício com érbio são obtidos através do tratamento térmico de filmes finos amorfos de sub-óxidos de silício (SiOx) preparados por rf-sputtering, variando a concentração de Oxigênio e
Publicado em: 2009
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7. Chlorine plasma etching of polysilicon films for MEMS and MOS devices / Corrosão de filmes de silicio policristalino por plasma para aplicações em dispositivos MEMS e MOS utilizando misturas de gases com cloro
This work presents the results and the discussion about mechanisms of plasma etching of polysilicon and silicon films for applications in MEMS and MOS devices. The etching was performed in a conventional reactor of plasma etching, Applied Materials PE8300A model, in a RIE mode (Reactive Ion Etching). For application in MEMS, polysilicon etching with anisotro
Publicado em: 2009
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8. Simulação do comportamento térmico de transistores MOS com o uso de modelos acoplados.
Em diversas aplicações de alto desempenho, é necessário conhecer o efeito da variação da temperatura no funcionamento do circuito eletrônico e de seus dispositivos. Apesar de modificar enormemente o desempenho e característica, a influência da temperatura no comportamento dos dispositivos semicondutores não é satisfatoriamente modelada nos simulad
Publicado em: 2008
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9. Circuitos integrados de radio-recepção para a operação de multiplexação espacial de antenas em tempo real / Integrated circuits of radio-reception for spatial multiplexing of antennas in real time
This research aims the conception of new topologies of integrated circuits and its characterizations for operation in radio-receiver systems. The design and fabrication of RF switches, LNAs, mixer, and VCOs are presented. The SMILE - Spatial MultIplexing of Local Elements - technique was adopted due to its advantages and functionality for the intelligent ant
Publicado em: 2008
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10. Integrated passive inductors for radio frequency applications / Indutores integrados passivos para aplicações em radio frequencia
This work aims the design and implementation of integrated passive inductors based on CMOS and BiCMOS processes. The inductors are essential devices in radio frequency applications and are used in many RF circuits such as amplifiers and oscillators. The inductors performance is mainly limited by metal and substrate losses. Although various methods of improve
Publicado em: 2008
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11. Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS / Modelo do descasamento (Mismatch) entre transistores MOS
Diversos modelos teóricos para o descasamento entre dispositivos na tecnologia MOS foram propostos desde a década de 80, sendo que geralmente estes pecam ou pela simplicidade, sendo válidos apenas sob condições de operação específicas, ou por resultarem em expressões muito complexas, o que torna necessário o uso de pesados recursos computacionais.
Publicado em: 2008
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12. Development of MEMS switch device technology MEMS - MicroelectromechanicalSystems - for RF - radio frequency - and new topologies of RF CMOS integrated circuits for radio receivers input sub-systems / Desenvolvimento de tecnologia de dispositivos chaves MEMS - MicroelectromechanicalSystems - para RF - Radio Frequencia - e novas topologias para circuitos integrados CMOS de RF em sub-sistemas de entrada de radio receptores
Este trabalho apresenta dois tópicos de pesquisa, o primeiro é referente ao projeto e desenvolvimento da tecnologia de fabricação de Chaves MEMS (Micro Electro Mechanical System) de RF e o segundo é o projeto de circuitos integrados. No que se refere a chaves MEMS, descreve-se o processo e a metodologia para projeto de Chaves MEMS paralela sobre linha d
Publicado em: 2008