Semicondutores De Metal E Oxido
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1. Aplicações de corrosão por plasma usando reatores ICP e RIE para tecnologia MEMS / Plasma etching applications using ICP and RIE reactors for MEMS technology
This thesis is based on etching processes applications in cold plasmas (room temperature) using RIE (Reactive Ion Etching) and ICP (Inductively Coupled Plasma), as reactors, applied to specific areas of microelectronics and MEMS devices in semiconductors industries and laboratories. Five applications are presented: Thinning gate CMOS Transistor - conventiona
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/08/2012
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2. Texturização da superfície de silício monocristalino com NH4OH e camada antirrefletora para aplicações em células fotovoltaicas compatíveis com tecnologia CMOS = : Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology / Texturing the surface of monocrystalline silicon with NH4OH and anti-reflective coating for applications in photovoltaic cells compatible with CMOS technology
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de células fotovoltaicas de junção n+/p em substratos de Si com processos de fabricação totalmente compatíveis com a tecnologia CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Os processos compatíveis desenvolvidos neste trabalho sao as técnicas: i) de texturização da superfície do Si, com reflexao da supe
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/08/2012
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3. Estudo fotoeletroquímico de filmes finos nanoestruturados de óxidos metálicos: Aplicação na fotooxidação da água / Photoelectrochemical study of nanostructured thin films of metal oxides: Application in the photooxidation of water
Muitas pesquisas buscam o desenvolvimento de células fotoeletroquímicas (PECs) capazes de converter eficientemente energia solar em hidrogênio por meio da fotoeletrólise da água. Recentemente, diversas estratégias têm sido desenvolvidas para fabricação materiais semicondutores destinados a aplicação como fotoanodos em PECs. Neste contexto, esta di
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/02/2012
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4. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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5. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
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6. Propriedades eletrônicas e processos de transporte em materiais semicondutores nano-estruturados / Electronic properties and transport processes in nano-structured semiconductor materials
Os mecanismos de confinamento e transporte em escala nanométrica continuam a ser um desafio em Física do Estado Sólido, uma vez que tanto a dimensionalidade quanto o tamanho dos dispositivos continuam a ser reduzidos. Desta forma, o estudo e entendimento do transporte em materiais amorfos e nano-cristalinos, que apresentam acoplamento de processos de tran
Publicado em: 2010
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7. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão / Reference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversion
Fontes de referência de tensão e sensores de temperatura são blocos extensivamente utilizados em sistemas microeletrônicos. Como alternativa à aplicação de estruturas consolidadas, mas protegidas por acordos de propriedade intelectual, é permanente a demanda pelo desenvolvimento de novas técnicas e estruturas originais destes circuitos. Também se d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2009
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8. Chlorine plasma etching of polysilicon films for MEMS and MOS devices / Corrosão de filmes de silicio policristalino por plasma para aplicações em dispositivos MEMS e MOS utilizando misturas de gases com cloro
This work presents the results and the discussion about mechanisms of plasma etching of polysilicon and silicon films for applications in MEMS and MOS devices. The etching was performed in a conventional reactor of plasma etching, Applied Materials PE8300A model, in a RIE mode (Reactive Ion Etching). For application in MEMS, polysilicon etching with anisotro
Publicado em: 2009
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9. Integrated passive inductors for radio frequency applications / Indutores integrados passivos para aplicações em radio frequencia
This work aims the design and implementation of integrated passive inductors based on CMOS and BiCMOS processes. The inductors are essential devices in radio frequency applications and are used in many RF circuits such as amplifiers and oscillators. The inductors performance is mainly limited by metal and substrate losses. Although various methods of improve
Publicado em: 2008
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10. CMOS image system wiht high responsivity and high dynamic range / Sistemas de imagem CMOS com alta responsividade e elevada faixa dinamica
This thesis adresses two important challenges imposed by CMOS technology trends, the reduction of the junctions s responsivity and voltages levels. A new photodetector with high responsivity and a multi-sampling time domain image system are investigated. This thesis proposes to use the gate controlled lateral bipolar junction transistor (GCLBJT) as a four te
Publicado em: 2008
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11. Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado
O Transistor de base metálica (TBM) é um tipo especial de transistor idealizado e desenvolvido no início da década de 1960, que possui potencial interesse no desenvolvimento atual de dispositivos spintrônicos. O objetivo principal desta tese é desenvolver e caracterizar um TBM tipo p fabricado inteiramente por eletrodeposição, buscando potenciais apl
Publicado em: 2007
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12. Design of low-voltage CMOS class-AB operational amplifiers / Projeto de amplificadores operacionais CMOS classe-AB operando em baixa tensão de alimentação
This dissertation describes the process of designing rail-to-rail operational amplifiers in CMOS technology. To accomplish this, the author focused on four distinct structures. The four topologies have rail-to-rail input stage with gm-control circuit and Class-AB output stage with quiescent-current control. The specification of three configurations included
Publicado em: 2006