Semicondutores De Gap Largo
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1. Propriedades físicas do SnO2: defeitos, impurezas, ligas e superredes. / Physical properties of SnO2: defects, impurities, alloys and superlattices.
O dioxido de estanho na estrutura rutila (SnO2) é um semicondutor de gap largo e faz parte da classe dos óxidos condutores transparentes (TCO). Possui gap direto de 3,6 eV e condutividade do tipo n, mesmo quando não dopado intencionalmente. Estudos teóricos e experimentais atribuem este comportamento à presença de defeitos intrínsecos. Por outro lado,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/08/2011
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2. Filmes nanométricos de FeN e ALN crescidos por sputtering e aplicações do efeito peltier
Neste trabalho será mostrado a habilidade da técnica de sputtering (dc/rf) reativo/não-reativo a baixa potência para o crescimento de filmes nanométricos de materiais magnéticos (FeN) e semicondutores de gap largo (AlN) assim como a aplicação tecnológica do efeito peltier por módulos comerciais de Telureto de Bismuto (Bi2Te3). De grande interesse t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/12/2010
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3. Estudo das propriedades estruturais e de transporte eletrônico em nanoestruturas de óxidos semicondutores e metálicos
Neste trabalho foram investigadas características estruturais e de transporte eletrônico em nanoestruturas óxidas sintetizadas por métodos baseados em fase de vapor: os métodos VLS e VS. Amostras de In2O3 e ITO foram caracterizadas quanto às suas características estruturais usando-se técnicas experimentais como XRD, HRTEM e FEG-SEM e comprovou-se que
Publicado em: 2010
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4. Propriedades vibracionais de nitretos do grupo III e de suas ligas / Vibrational properties of group-III nitrides and their alloys
Os nitretos do grupo III (BN, AIN,Gan e InN) e suas ligas ternárias Al-GaN e InGaN proporcionam, recentemente, um extraordinário avanço na fabricação de dispositivos opto-eletrônicos operando na região do espectro correspondente ao verde-azul-UV e na produção de dispositivos eletrônicos de alta frequência, alta temperatura e alta potência. Estes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 23/04/2004
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5. Termodinamica estatistica e transporte em semicondutores de gap largo em campos eletricos moderados para intensos
Apresentamos um estudo extenso e detalhado do estado termodinâmico de não-equilíbrio, e de propriedades ópticas e de transporte de semicondutores polares de gap direto na presença de campos elétricos moderados e intensos. Para tal fim recorremos à teoria cinética quântica não-linear, que é baseada num atual e poderoso formalismo mecânico estatís
Publicado em: 2001
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6. Dinamica em femtossegundos de portadores fotoexcitados na liga AlxGa1-xAs
Estudamos a dinâmica de portadores em escala de tempo de femtossegundos em filmes de AlxGa1-xAs para composições de Al nas quais a liga se encontra próxima à transição gap direto-gap indireto. A técnica utilizada foi a espectros copia de excitação e prova, na qual o pulso de teste se trata de um contínuo cujo espectro cobre o gap das ligas estudad
Publicado em: 1999
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7. Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende. / Electronic properties of zincbled semiconductor heterostructures.
Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de Landau para heteroestruturas de semicondutores zincblende dos grupos III-V e II-VI. Os efeitos do acoplamento entre as bandas de condução e valência, da mistura dos estados da banda de valência, da não-parabolicidade dos níveis, da total degenerescênc
Publicado em: 1987