Semicondutores Binarios
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1. Propriedades estruturais, eletrônicas e termodinâmicas de ligas semicondutoras baseadas em tálio
Apresentamos um estudo teórico de ligas semicondutoras baseadas em tálio, na estrutura cúbica zincblende, com a possibilidade de serem um alternativa viável para os dispositivos optoeletrônicos que atuam na região do comprimento de onda do infravermelho. A metodologia empregada foi a combinação de cálculos de primeiros princípios de estrutura eletr
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2028
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2. Síntese eletroquímica e caracterização de filmes finos de CdZnTe / Electrochemical synthesis and characterization of CdZnTe thin films
A obtenção de filmes semicondutores por eletrodeposição já vem sendo estudada, principalmente, para os calcogenetos binários. Entretanto, há diversos sistemas ternários com amplo espectro de aplicação, como por exemplo, o CdZnTe, que são pouco investigados. Assim, o objetivo deste trabalho é estudar o processo de eletrodeposição de filmes finos
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/01/2012
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3. Estudo das estruturas de discordâncias cristalinas em arseneto de gálio
We employ ab initio calculations to investigate 90º partial dislocations in gallium arsenide. In a binary semiconductor like GaAs, two types of dislocations are present. In the a(ß) dislocation, there are two lines of arsenic (gallium) atoms on each side, bordering the geometric center of the dislocation core. For both the a ß and dislocations, we conside
Publicado em: 2009
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4. Propriedades físicas de ligas semicondutoras de nitretos do grupo III e de semicondutores magnéticos (III,MT)V.
Apresentamos neste trabalho o estudo teórico de dois tipos de materiais importantes para o desenvolvimento de novas tecnologias em eletrônica, fotônica e spintrônica. A metodologia utilizada foi uma combinação de cálculos de estrutura eletrônica dentro da Teoria do Funcional da Densidade e de análises estatísticas através do método da Aproximaç�
Publicado em: 2009
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5. Propriedades vibracionais de nitretos do grupo III e de suas ligas / Vibrational properties of group-III nitrides and their alloys
Os nitretos do grupo III (BN, AIN,Gan e InN) e suas ligas ternárias Al-GaN e InGaN proporcionam, recentemente, um extraordinário avanço na fabricação de dispositivos opto-eletrônicos operando na região do espectro correspondente ao verde-azul-UV e na produção de dispositivos eletrônicos de alta frequência, alta temperatura e alta potência. Estes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 23/04/2004