Retroespalhamento Rutherford
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25. Growth of TiO2 nanotube arrays with simultaneous Au nanoparticles impregnation: photocatalysts for hydrogen production
Um novo método para a fabricação de nanotubos (NTs) de TiO2 organizados e impregnados com nanopartículas (NPs) de ouro foi desenvolvido, e as propriedades estruturais, morfológicas e ópticas dos NTs obtidos foram investigadas. Os arranjos de NTs de TiO2 foram crescidos pela oxidação anódica de Ti metálico utilizando soluções eletrolíticas conten
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2010
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26. Embalagens metálicas e alimentos : o caso do atum enlatado
Desde seu surgimento no século 19, alimentos enlatados e processos de enlatamento evoluíram a fim de suprir a demanda por alimentos não-perecíveis. Em termos de consumo mundial, atum enlatado é uma das escolhas mais populares quando se trata de peixes. Nos últimos anos, o atum enlatado se tornou uma fonte importante de proteínas, vitamina D e ácidos
Publicado em: 2010
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27. Síntese de catalisadores metalocênicos suportados para polimerização de eteno empregando sílicas híbridas contendo o grupamento indenil
Neste trabalho foi estudada a síntese de materiais híbridos indenilpropilsílica, empregando indeno como precursor orgânico, através do método sol-gel, visando a obtenção deste ligante heterogeneizado em sílica para sua utilização na síntese de metalocenos suportados para a produção de polietileno linear. Em um primeiro momento, obteve-se os mat
Publicado em: 2010
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28. Éxcitons em nanocristais de silício / Excitons in Silicon nanocrystals
As propriedades ópticas de nanocristais de silício (Si-ncs) têm sido extensivamente estudadas após a primeira demonstração em 1990 de fotoluminescência altamente eficiente em silício poroso. Apesar dos progressos no entendimento da natureza da alta eficiência da luminescência dos Si-ncs e da enorme versatilidade para aplicações optoeletrônicas,
Publicado em: 2010
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29. Propriedades eletrônicas e processos de transporte em materiais semicondutores nano-estruturados / Electronic properties and transport processes in nano-structured semiconductor materials
Os mecanismos de confinamento e transporte em escala nanométrica continuam a ser um desafio em Física do Estado Sólido, uma vez que tanto a dimensionalidade quanto o tamanho dos dispositivos continuam a ser reduzidos. Desta forma, o estudo e entendimento do transporte em materiais amorfos e nano-cristalinos, que apresentam acoplamento de processos de tran
Publicado em: 2010
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30. Formação de ilhas metálicas de Sn e Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 via implantação iônica e tratamento térmico
Neste trabalho estudou-se a estruturação de partículas de Sn ou Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 pela técnica de implantação iônica seguida de tratamento térmico em alta temperatura. A formação de partículas de Sn em interfaces SiO2/Si foi estuda em função do tempo de recozimento em fluxo de N2. Os dados experimentais demonstraram que este
Publicado em: 2010
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31. Medidas do poder de freamento de íons de He e Li em filmes de Zn
Neste trabalho, medimos a perda de energia de íons de He e Li em Zn, com energias que vão de 400 keV a 7 MeV, no primeiro caso, e de 300 keV a 5 MeV, no segundo. Usamos a técnica de retroespalhamento de Rutherford com amostras do tipo Au(100Å)\Zn\Au(100Å)\Si, com camadas de Zn de espessuras de 460 Å, 750 Å e 1500 Å. Sendo o Zn o metal de transição
Publicado em: 2009
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32. Passivação da superfície do Germânio visando ao uso da nanoeletrônica
Investigamos a passivação superficial do Germânio visando ao uso em Nanoeletrônica, que requer: (i) preparação de uma superfície plana e isenta de contaminantes e (ii) crescimento ou deposição de um dielétrico termodinamicamente estável em contato com o substrato nos ambientes e temperaturas usuais na fabricação de dispositivos. Na primeira etap
Publicado em: 2009
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33. Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)
SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de integração com a tecnologia de Si. Implantação em alta temperatura (600°C) através de uma capa de SiO2, recozimento pós-implanta
Publicado em: 2009
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34. Metalocenos suportados para a polimerização de etileno: efeito do uso de espaçadores na superfície da sílica
A homopolimerização de etileno foi investigada utilizando o catalisador (nBuCp)2ZrCl2 suportado em sílicas modificadas quimicamente com diferentes espaçadores. Dentre eles, foram utilizados Me3SiCl, Me2HSiCl, Ph3SiCl, polimetilhidrossiloxano (PMHS), GeCl4, SnCl4 ou PbCl2. As interações organossilano-sílica, zirconoceno-silanos suportados e zirconoceno
Publicado em: 2009
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35. Formação de nanopartículas de Sn e PbSe via implantação iônica em Si(100)
O silício (Si) é o material mais utilizado na fabricação de dispositivos microeletrônicos e fotovoltaicos devido às suas excelentes propriedades físicas e ao alto grau de desenvolvimento das tecnologias de produção alcançadas pela indústria. Conseqüentemente, materiais compatíveis com o Si são alternativas importantes para ampliar o desempenho
Publicado em: 2009
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36. Desenvolvimento de sensores piezoresistivos de SiC visando aplicação em sistemas aeroespaciais.
Esta tese avalia o potencial de filmes de carbeto de silício (SiC) produzidos por duas técnicas assistidas por plasma, PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) e RF magnetron sputtering, para o desenvolvimento de sensores piezoresistivos. Os trabalhos desenvolvidos abrangeram todas as etapas de síntese e caracterização dos filmes, bem como o es
Publicado em: 2009