Resonant Tunneling
Mostrando 1-12 de 24 artigos, teses e dissertações.
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1. Tunneling effects in resonant acoustic scattering of an air bubble in unbounded water
Resumo O problema tratado neste trabalho é o espalhamento ressonante do som por uma bolha de ar imersa na água. O formalismo do espalhamento acústico em ondas parciais, relacionado ao problema proposto, é revisitado. Com base na analogia entre o espalhamento de partículas na mecânica quântica e o espalhamento acústico, os modos de vibração naturais
An. Acad. Bras. Ciênc.. Publicado em: 2016-06
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2. Magneto luminescência em diodos de tunelamento ressonante contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied the spin polarization of carriers in n-type resonant tunneling diodes (RTDs) of GaAs/AlGaAs which incorporates a single layer of InAs selfassembled quantum dots in the center of the GaAs quantum well (QW) grown on (3 1 1)B oriented GaAs substrates.We have performed electrical and optical measurements in the presence and absence
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/03/2011
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3. Propriedades magneto-óticas e de magneto-transporte de um diodo de tunelamento ressonante contendo Si δ - doping no poço quântico
In this work, we have studied the transport and optical properties of GaAs = AlGaAs resonant tunneling diodes with Si delta-doping at the center of the quantum well. We have studied magneto-transport and polarized resolved photoluminescence from GaAs quantum well and contact layers as a function of applied voltage and magnetic _eld parallel to the tunnel cur
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/03/2011
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4. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy
Publicado em: 2010
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5. Prorpiedades de transportes em fios e poÃos quÃnticos. / Transport Properties of Quantum Wells and Quantum Wires
Materiais semicondutores sÃo os principais responsÃveis pelo grande crescimento da indÃstria eletrÃnica e pelo surgimento de novas tecnologias. A criaÃÃo de heteroestruturas possibilitou um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. Atualmente, o estudo de semicondutores està concentrado em sistemas de dimensionalidade reduzida, como os poÃos, fios
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/07/2009
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6. Magneto-tunelamento ressonante em super-redes de GaAs/AsGaAs
In this thesis we present three works in weakly coupled semiconductor superlattices of GaAs/AlGaAs. In the first work we present an investigation of the electric field domain configuration in the sequential tunneling regime in weakly coupled superlattices in the presence of a magnetic field applied parallel to the quantum well layers. We show that, for an ap
Publicado em: 2008
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7. Éxcitons em semicondutores magnéticos diluídos / Excitons in diluted magnetic semiconductors
Investigamos o tunelamento ressonante de elétrons e buracos em um pouco quântico duplo assimétrico de CdTe/CdMnTe na presença de campos elétricos e magnéticos aplicados ao longo da direção de crescimento. Mostramos que neste caso é possível alcançar uma condição de tunelamento ressonante simultâneo de elétrons e buracos com spin definido, isto
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 02/08/2006
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8. Transport properties of a Ga1-xMn xAs/Ga1-yAl yAs double-barrier
We study the transport properties of a spin filter consisting of a double-barrier resonant tunneling device in which the well is made of a semimagnetic material. Even if the device could be made of several materials, we discuss here the case of a Ga1-xMn xAs/Ga1-yAl yAs system because it can be integrated into the well known AlAs/GaAs technology. We solve th
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-09
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9. A selfconsistent calculation of the transport properties of a double barrier spin filter
A double barrier resonant tunneling device in which the well is made of a semi-magnetic material can work as an efficient spin filter. Today it is possible to make semiconductors that are ferromagnetic at room temperature. Therefore the device studied here has a great potential to be used as a polarizer, an analyzer and other spintronic applications. We disc
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-06
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10. Éxcitons em semicondutores magnéticos diluídos / Excitons in diluted magnetic semiconductors
Investigamos o tunelamento ressonante de elétrons e buracos em um pouco quântico duplo assimétrico de CdTe/CdMnTe na presença de campos elétricos e magnéticos aplicados ao longo da direção de crescimento. Mostramos que neste caso é possível alcançar uma condição de tunelamento ressonante simultâneo de elétrons e buracos com spin definido, isto
Publicado em: 2006
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11. Monitoramento de propriedades de condensados de Bose-Einstein interagindo não ressonantemente com campos óticos via detecção contínua de fotóns
In this work we consider an of - resonant interaction between optical fields and a Bose - Einstein condensation. We used a continuous photo detection model to study the efects of the counting of k photons of the optical field upon the properties of the atoms in the condensate. We have obtained the density operator of the interacting system conditioned to cou
Publicado em: 2006
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12. Estruturas de barreira dupla de PbTe/PbEuTe crescidas por epitaxia de feixe molecular / PbTe/PbEuTe double barrier structures grown by molecular beam epitaxy
This work reports the growth of PbTe/Pb(1-x)Eu(x)Te double barrier (DB) structures by molecular beam epitaxial and the device processing aiming the resonant tunneling measurement. The samples were grown on (111) BaF(2) substrates at 300°C. Resistivity and Hall effect measurements were performed on reference films to determine the most suitable electrical pr
Publicado em: 2006