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1. Propriedades eletrônicas e estruturais de mecro-aglomerados de GaAs. / Electronic and structural properties of GaAs micro-clusters.
Temos utilizado o método de Hartree-Fock-Roothaan, seguido da teoria de perturbação de segunda ordem, para a determinação das propriedades estruturais e eletrônicas dos aglornerados GaAs, G2As, GaAs2, Ga3As, Ga2As2, GaAs3, G4As, Ga3As2, Ga2As4, GaAs4, Ga3As3, G4Asa, Ga3As4, Ga4As4 e seus íons positivos e negativos. A estrutura de equilíbrio de cada u
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/03/1996