Pulverizacao Catodica
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1. Análise comparativa das propriedades elétricas de camadas e multicamadas de VOx depositadas por pulverização catódica para aplicação em bolômetros
RESUMO Filmes finos de VOX (camada e multicamadas) foram fabricados por pulverização catódica com rádiofrequência assistida por campo magnético constante para aplicação em detectores de radiação infravermelha do tipo bolômetro. As amostras foram fabricadas sem quebra de vácuo a partir de três alvos: V2O3; VO2 e V2O5. Um sistema de pulverização
Matéria (Rio J.). Publicado em: 20/05/2019
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2. Influência da densidade de potência e da porcentagem de N2 na atmosfera de deposição na dureza e no módulo de Young em filmes de aço inoxidável AISI 316 depositados por pulverização catódica
RESUMO O processo de recobrimento por pulverização catódica é uma técnica amplamente utilizada para produção de revestimentos metálicos e cerâmicos, devido a versatilidade no controle das propriedades com pequenas mudanças nos parâmetros de processo, como densidade de potência aplica ao cátodo magnetron e atmosfera de trabalho. Sendo assim, as p
Matéria (Rio J.). Publicado em: 20/05/2019
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3. Análise comparativa das propriedades de óxidos transparentes condutores para aplicação em células solares de filmes finos de CdTe
RESUMO Este trabalho compara as propriedades de diversos óxidos transparentes condutores para serem utilizados como contatos frontais de células solares de filmes finos de CdTe. Os filmes foram depositados à temperatura ambiente, por pulverização catódica com rádio frequência, sem tratamento térmico posterior, com o objetivo de reduzir o número de
Matéria (Rio J.). Publicado em: 11/05/2017
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4. Propriedades de filmes finos de ZnO:Al depositados sobre substratos de poliimida à temperatura ambiente para aplicações em dispositivos optoeletrônicos flexíveis
Resumo Este trabalho apresenta as propriedades de filmes finos de ZnO:Al crescidos por pulverização catódica com rádio frequência sobre substratos de poliimida para serem utilizados como eletrodos flexíveis de dispositivos optoeletrônicos. Para efeitos de comparação, os filmes também foram crescidos sobre lâminas de vidro soda-lime. Os filmes fora
Cerâmica. Publicado em: 2017-04
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5. Desenvolvimento e avaliação de uma fonte DC de alta tensão para utilização em sistema de deposição de filmes finos por pulverização catódica
RESUMO O trabalho em questão está relacionado ao projeto e construção de uma fonte de alta tensão em corrente contínua utilizando materiais e dispositivos adquiridos no comércio local visando sua aplicação no processo de pulverização catódica. Essa técnica permite a deposição de filmes finos de metais, óxidos e nitretos sobre substratos sóli
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2016-06
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6. Produção e caracterização de filmes finos recobertos com albumina e fibronectina
Propriedades relacionadas ao aumento da durabilidade dos implantes e respostas biológicas mais rápidas e confiáveis são comumente exploradas em pesquisa científica de diferentes áreas. Os fenômenos físico-químicos que ocorrem na superfície da interface osso/implante determinam as respostas biológicas subsequentes à implantação do biomaterial e,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/06/2012
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7. EFFECT OF INTERFACE ROUGHNESS AND HEAT-TREATMENT OF THE SUPERCONDUCTING PROPERTIES OF NB/CO MULTILAYERS / RUGOSIDADE DA INTERFACE E EFEITO DE TRATAMENTO TÉRMICO NAS PROPRIEDADES SUPERCONDUTORAS DE MULTICAMADAS NB/CO
Neste trabalho foram preparadas multi-camadas supercondutor(SC)/ ferromagneto(FM) Nb/Co via pulverização catódica (Magnetron Sputtering). O principal objetivo é estudar o efeito de diferentes espessuras da camada ferromagnética (Co) nas propriedades supercondutoras do Nb. Era esperado que, após tratamentos térmicos, as camadas de Co formassem um plano
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/04/2012
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8. Obtenção de filmes finos de SiC, SiCN e AlN por magnetron sputtering para aplicação em microsensores
No presente trabalho é reportado o crescimento de filmes finos de carbeto de silício (SiC), carbonitreto de silício (SiCN) e nitreto de alumínio (AlN) pela técnica de pulverização catódica com dois magnetrons (dual magnetron sputtering) visando a aplicação destes materiais na confecção de microsensores. Alvos de silício e carbono foram utilizado
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 13/04/2012
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9. Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo
Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pulverização catódica com gases reativos (s
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2012
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10. Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio / Caracterização de Filmes Finos: Caso do Nitreto de Alumínio Depositado Sobre Alumínio
O nitreto de alumínio (AlN) é um material de alta dureza e elevada condutividade térmica, além disso é resistente a altas temperaturas e ambiente cáustico sendo, portanto, adequado para revestimentos de proteção e com grande potencial de aplicação como cerâmica semicondutora na indústria microeletrônica. Estas propriedades o colocam como materia
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/07/2011
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11. Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas / Desenvolvimento de filme fino de a-Si:H por pulverização catódica para aplicações fotovoltaicas
Filmes finos de silício amorfo hidrogenado (a-Si:H) foram desenvolvidos para aplicações fotovoltaicas. Esses filmes são atualmente muito utilizados em células solares HSJ como camada absorvedora devido às suas boas propriedades ópticas e elétricas, associado a um band gap razoavelmente baixo e um reduzido custo de produção. Os filmes foram sintetiz
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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12. Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering / Emissão óptica de plasma e desenvolvimento de a-Si:H por sputtering
A utilização do silício amorfo (a-Si) como camada emissora nas células fotovoltaicas baseadas em heteroestruturas tem se mostrado com várias vantagens em nível de custo de produção e desempenho se comparadas ao silício cristalino (c-Si). Em filmes de a-Si puro, existe uma grande concentração defeitos, aproximadamente 10 por cm e o hidrogênio exer
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/2011