Polarizacao De Spin
Mostrando 13-24 de 42 artigos, teses e dissertações.
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13. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 19/02/2010
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14. Spin-exchange effects in elastic electron scattering from linear triatomic radicals
Neste trabalho, apresentamos um estudo teórico sobre os efeitos de troca de spin no espalhamento elástico de elétrons por dois radicais livres triatômicos: NCN e CNN. São mostrados resultados de seções de choque diferencial e integral de polarização de spin (spin-flip) calculados na faixa de energia entre 1 a 10 eV. Para ambos os alvos, nosso estudo
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2010
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15. Relaxação do spin em poços quânticos de InGaAs/GaAs dopados com Mn / Spin relaxation of electrons in InGaAs/GaAs quantum wells Mn-doped barriers
Nesta dissertação investigamos os efeitos dos íons de Mn na dinâmica do spin de elétron em poços quânticos de InGaAs/GaAs. Os poços têm um gás de buracos gerado por dopagens em suas barreiras, sendo uma dopagem tipo delta de Mn numa das barreiras e uma dopagem tipo delta de C, na outra. A densidade de buracos foi determinada mediante medidas de tra
Publicado em: 2010
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16. Condutância em Nanofios Magnéticos Diluídos / Conduct NCIA wires in Nano Magn à ticos Dilu Ados
Investigamos nanofios de semicondutores magnéticos diludos (DMSs - Diluted Magnetic Semiconductors) do tipo caroco-casca com dopagem remota tipo-n. A incorporação dos íons de Mn+2, que atuam como impurezas de spin 5/2 no caroço do fio, faz surgir um forte acoplamento de troca s-d entre os eletrons do fio e aqueles dos níveis d do íon Mn+2. Com a aplic
Publicado em: 2010
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17. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
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18. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy
Publicado em: 2010
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19. Estudo da formação de defeitos em uma monocamada hexagonal de GaN Via DFT.
O estudo de sistemas de baixa dimensionalidade, tais como nanotubos de carbono, fulerenos e o grafeno, cada vez mais têm atraído o interesse científico tanto teórico quanto experimental. Inspirado pela produçãoo experimental do grafeno e de monocamadas de outras espécies químicas, em conjunto com a evidência experimental dos nanotubos de nitreto de
Publicado em: 2010
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20. Efeitos da modulação de interferência quântica nas propriedades de transporte eletrônico em nanofitas armchair de Grafeno: Pseudo-spintrônica e análogo relativístico de Klein / Modulation effects of quantum interference in the electronic transport properties of armchair graphene nanoribbons: Pseudo-spintronics and Kleins similar relativistic
No presente trabalho, temos estudado o transporte eletrônico quântico em fitas de grafeno com bordas tipo armchair (FGA). Estas fitas são caracterizadas por apresentar um comportamento semicondutor ou metálico segum a largura que adote. A presença de uma barreira de potencial na FGA gera um deslocamento da estrutura de banda na região do potencial, pos
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/11/2009
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21. Propriedades de transporte de spins polarizados em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho usamos a técnica da matriz de espalhamento para calcular a trans- missividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. A dinâmica dos portadores é descrita pela aproximação de massa efetiva aplicada aos modelos de Dresselhaus e Bychkov-Rashba. Sendo o primeiro hamil- toniano estudado e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/06/2009
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22. Estudo teórico da dupla dopagem de metais de transição em GaN e ZnO: ligas e heteroestruturas.
A spintrônica, que está inserida na nanotecnologia, se mostra hoje muito promissora no sentido de aprimorar outras tecnologias como a própria eletrônica convencional, a fotônica, a computação quântica, etc. Ela se baseia no transporte e manipulação do spin dos portadores em sistemas de estado sólido. No entanto, para sua implementação necessitam
Publicado em: 2009
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23. Diagrama de fases magnéticas e transição de fase quântica em ligas de Cr-Ti
Neste trabalho realizamos um estudo sobre as propriedades magnéticas das ligas de Cr-Ti com baixas concentrações de Ti. As amostras foram preparadas por fusão de grânulos de Cr e Ti de alta pureza em forno a arco voltaico. O diagrama de fases magnéticas foi determinado a partir das temperaturas de transição obtidas por medidas de resistividade elétr
Publicado em: 2009
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24. Orbital magnetism in many electrons systems / Magnetismo orbital em sistemas de muitos elétrons
Neste trabalho investigamos os efeitos do magnetismo orbital sobre o gás de elétrons tridimensional e sobre íons de camadas abertas em matrizes metálicas. Derivamos uma expressão analítica fechada para a energia de troca do gás de elétrons tridimensional na presença de fortes campos magnéticos, incluindo contribuições do segundo nível de Landau
Publicado em: 2009