Oxynitride
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1. Study and characterization of indium oxynitride photoconductors
Multifunctional materials are a new class of thin films and coatings. These materials show interesting characteristics for application in many scientific areas, in special electronic and photonic technologies. These characteristics include sensitivity for thermal, light, mechanical, chemical and other influences, high resistivity, high electrical isolation a
Mat. Res.. Publicado em: 03/12/2013
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2. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps
This work shows the study of the optical band gap of indium oxynitride (InNO) and indium nitride (InN) deposited by magnetron reactive sputtering. InNO shows multi-functionality in electrical and photonic applications, transparency in visible range, wide band gap, high resistivity and low leakage current. The deposition processes were performed in a magnetro
Mat. Res.. Publicado em: 07/05/2013
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3. Tratamento termoquímico do titânio auxiliado por plasma de ar - N2 - O2
Discos de titânio cp grau II foram oxinitretados por plasma de Ar - N2 - O2 usando diferentes proporções de gases individuais. Essas proporções foram estabelecidas a partir de análises de espectroscopia de emissão óptica (OES) das espécies do plasma. As proporções que resultaram em espectros cujas espécies apresentaram variação abrupta de inten
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/06/2011
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4. Estudo de viabilidade de integração de micro-lâmpadas incandescentes com filtros interferenciais. / Study of viability of integration of incandescent micro-lamps with interferometric filters.
In the present work was realized a study of the viability of integrating two optical devices: incandescent micro-lamps and interferometric filters with the intention of obtaining a single device with specific characteristics. The fabrication of these optical devices was made using dielectric materials, obtained by plasma-enhanced chemical vapor deposition (P
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/04/2011
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5. Desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de transistores de filmes finos orgânicos. / Development of a manufacturing methodology for organic thin film transistors.
In this work, it is presented a methodology for organic thin-film transistor (OTFT) fabrication. Poly(3-hexylthyophene) (P3HT):[6,6]-phenyl-C61-butyric acidmethyl ester (PCBM) bulk heterojunction solar cells were studied for their maximum power conversion efficiency (PCE) around 5 %. Efficiencies evolution in time from 10-6 to 1.7 % show the difficulties inv
Publicado em: 2010
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6. Estudo das propriedades estruturais e ópticas em materiais nanoestruturados a base de silício. / Study of structural and optical properties in nanostructured silicon based films.
The aim of this doctorate thesis is to enhance the knowledge in the research conducted along the Master degree based on the characterization and study of the structural and luminescent properties of silicon rich silicon oxynitride films (SiOxNy:H) deposited at low temperature by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD). The results of this study ind
Publicado em: 2009
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7. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS / High K gate insulators for MOS technology
High k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) technology), such as titanium oxide (TiOx), titanium oxynitride (TiOxNy), titanium-aluminum oxynitride (AlxTiwOyNz), titanium-aluminum nitride (AlxTiwNz) and titanium-aluminum oxide (AlxTiwOy), have been obtained by Ti or Ti/Al e-beam evaporation, with addition
Publicado em: 2008
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8. Thermo-mechanical properties of a-SiC:H and SiOxNy thin films and development of MEMS. / Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS.
O presente trabalho, realizado junto ao Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD), no Laboratório de Microeletrônica do Departamento de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP, visou determinar algumas das propriedades termo-mecânicas de materiais depositados pela técnica de plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) que são impo
Publicado em: 2008
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9. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS. / Study of dielectric layers for MOS capacitors.
Silicon oxynitride films obtained by the PECVD technique from N2O+SiH4+He gaseous mixtures, at 320°C, with different deposition pressure and RF power were studied intending to improve the interface quality with Si, decreasing the effective charge density and the interface state density in order to utilize them in MOS semiconductor devices. The results showe
Publicado em: 2007
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10. Estudo da morfologia e estrutura de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) obtidos pela técnica de PECVD. / Morphological and structural studies of silicon oxynitride films (SiOxNy) obtained by PECVD technique.
Neste trabalho são apresentados resultados da caracterização estrutural e morfológica de filmes de oxinitreto de silício (SiOxNy) depositados pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixa temperatura (320°C). O objetivo deste trabalho é relacionar a composição química de ligas amorfas de SiOxNy com suas propried
Publicado em: 2007
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11. 3Y-TZP/Si2N2O COMPOSITE OBTAINED BY PRESSURELESS SINTERING / "Estudo do compósito 3Y-TZP/Sl2N2O obtido por sinterização sem pressão"
Zircônia 3YTZP apresenta propriedades excelentes à temperatura ambiente, mas estas propriedades são afetadas pelo aumento da temperatura pois esta age negativamente sobre o mecanismo de transformação de fase induzida por tensão, que fortalece a tenacidade da matriz. A adição de Si3N4 e SiC em uma matriz de 3YTZP é muito interessante porque conduz à
Publicado em: 2006
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12. Obtenção e caracterização de filmes finos de oxido, nitreto e oxinitreto de silicio por deposição ECR-CVD / Synthesis and characterization of oxide nitride and silicon oxynitride thin films by ECR-CVD
In this work, silicon nitride (SixNy), oxide (SiOx) and oxynitride (SiOxNy) thin films obtained by remote plasma chemical vapor deposition (RPCVD) on silicon substrate were studied and characterized for micromachining or micro electro-mechanical system (MEMS) applications. Silicon nitride films (SixNy) were used in suspended structures (membranes and bridges
Publicado em: 2005