Oxidos Semicondutores
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13. Estudo da passividade da Liga 600 em meio ácido
A passividade da Liga 600 (76Ni 16Cr 8Fe), em Na2SO4 0,5 M, pH=2,0, em atmosfera desarejada e à temperatura ambiente, foi estudada empregando-se diferentes métodos eletroquímicos e não eletroquímicos. A voltametria cíclica, com eletrodo rotatório de disco, revelou um comportamento típico ativo-passivo, com valores para a densidade de corrente anódic
Publicado em: 2007
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14. Sistemas Nanoestruturados: Heteroestruturas Quasi-Periódicas de Nitretos e Cálculos Ab initio em Polimorfos CaCO3 / Sistemas Nanoestruturados: Heteroestruturas Quasi-Periódicas de Nitretos e Cálculos Ab initio em Polimorfos CaCO3
As propriedades físicas e o espectro de excitações em materiais óxidos e semicondutores são apresentados neste trabalho, composto primeiramente por um estudo sobre o confinamento de fonons ópticos em sistemas artificiais baseados em nitretos III-V, crescidos periodicamente e quasi-periodicamente. A segunda parte deste trabalho descreve cálculos de pri
Publicado em: 2007
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15. Estudo das propriedades ópticas e estruturais de nanocristais de MnTe em vidros óxidos
Nanoestruturas baseadas em Semicondutores Magnéticos Diluídos (DMS), também denominado semicondutor semimagnético, tem despertado o interesse da comunidade científica devido as suas singulares propriedades magneto-ópticas e de transporte. Recentemente, foi estudada possibilidade de manipulação de um único spin em nanocristais DMS, tornando-os um pro
Publicado em: 2006
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16. Desenvolvimento do pigmento condutor SnO2 -Sb2O3 e sua aplicação em vidrados semicondutores
Esmaltes semicondutores são utilizados no recobrimento de isoladores elétricos para evitar descargas superficiais nos isoladores, associadas a grandes diferenças de potencial, proporcionando uma melhora no desempenho sob poluição ambiental. Como os vidrados utilizados nas indústrias cerâmicas são isolantes, uma maneira de torná-los semicondutores é
Cerâmica. Publicado em: 2004-06
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17. Cristalização epitaxial de ligas de SiGe sobre GaAs por laser pulsado
Neste trabalho se estudou pela primeira vez a cristalização e a epitaxia por laser pulsado para a obtenção de filmes de SixG e1-x(x = 0, 0.1, 0,25, 0,5, 0,75 e 1) sobre substratos de GaAs. Foram utilizados pulsos de laser de Nd:Yag ? l =532 nm ? com duração de 7ns e spot size de 2 a 3 mm. Camadas ou multicamadas amorfas de Ge, Si ou SiGe foram deposita
Publicado em: 2004
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18. Obtenção de filmes finos de oxidos semicondutores ternarios de banda larga pelo processo de decomposição de precursores metalorganicos
Neste trabalho, o processo de Decomposição de Precursores Metalorgânicos (MOD) foi utilizado na preparação de sólidos policristalinos e filmes finos de óxidos ternários do tipo Cd2SnO4 e Cd2M2O7 (M = Sb e Nb). Esses óxidos são chamados de semicondutores de banda larga e apresentam, simultaneamente, duas propriedades de interesse científico e tecno
Publicado em: 2002
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19. Tratamento de corante reativo e lignina sulfonato pelo processo fotocatalitico eletroquimicamente assistido
Neste trabalho, a degradação de corante Azul Reativo 19 e Lignina Sulfonato, substratos bastante representativos da composição de efluentes papeleiros e têxteis, foi estudada utilizando-se três processos oxidativos diferentes: a) Sistema fotocatalítico fundamentado na utilização de dióxido de titânio dopado com dióxido de rutênio, para a investi
Publicado em: 2002
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20. Caracterização estrutural e elétrica de óxidos semicondutores do tipo espinélio.
Amostras cristalinas com conteúdo óxido provenientes dos sistemas [(x)(MnO)][(1-x)(CoO)][Al2O3], [(x)(NiO)][(1-x)(CoO)][Al2O3], [(x)(MnO)][(1- x)(CuO)][Al2O3] e [(x)(NiO)][(1-x)(CuO)][Al2O3] (0,05 ≤ x ≤ 0,95) tiveram suas propriedades elétricas e estruturais investigadas. A análise por difração de raios-X do pó indicou a formação da fase
Publicado em: 2002
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21. Sistemas quimicos integrados : oxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5) obtidos pelo processo MOD nos poros de matrizes com esqueleto niobofosfato e de silica (VYCOR)
Este trabalho reporta a preparação e caracterização de sistemas químicos integrados constituídos de matrizes porosas com esqueleto niobofosfato e de sílica (vidro poroso Vycor - PVG) contendo óxidos semicondutores (SnO2, TiO2 e Nb2O5), obtidos in situ nos poros, via impregnação-decomposição de compostos metalorgânicos (MOD). O esqueleto poroso n
Publicado em: 2001
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22. Obtenção de nanocompositos de oxidos semicondutores inseridos em vidro poroso Vycor via decomposição de precursores metalorganicos
The aim of the present work was the preparation of nanocomposites containing semicondutor oxides such as Bi2O3, CeO2, CuO and Porous Vycor Glass (PVG). In the employed methodology, PVG plates were impregnated with metallorganic precursors which yield the desired oxides throught thermal decomposition. Bi(III), Ce(III) and Cu(II) 2-ethil hexanoates used as met
Publicado em: 2000
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23. Crescimento de monocristais de GaSb, GaAs e InP pelo metodo Czochalski
Foram crescidos tarugos monocristalinos de antimoneto de gálio (GaSb), de arseneto de gálio (GaAs) e de fosfeto de índio (InP) utilizando-se as técnicas Czochra1ski,para o GaSb, e Liquid Encapsulated Czochralski (LEC), para os outros dois, tendo como objetivo o domíno e aperfeiçoamento das técnicas de crescimento e também a obtenção de lâminas mon
Publicado em: 1996
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24. Obtenção de oxidos de niobio sobre silicio e sua corrosão por plasma
Não informado
Publicado em: 1990