Nitreto De Indio
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1. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e opto eletrônicos. / Study of electro optic properties of nanostructured indium nitride thin films and aplication in opto electronics and photonics devices.
O nitreto de índio (InN) e seus derivados (como o oxi-nitreto de índio) são materiais com alta potencialidade de aplicações em dispositivos optoeletrônicos devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas. Para o InN foi obtido originalmente um band gap em torno de 1,9 eV e, apesar deste valor aparecer com freqüência na literatura, têm se obtido
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/08/2011
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2. Deposição de A/N por sputtering não reativo
Neste trabalho depositamos via magnetron sputtering de rádio-frequência não reativo nanofilmes de nitreto de alumínio (AlN). Os nanofilmes de nitreto de alumínio são materiais semicondutores com alta condutividade térmica, elevado ponto de fusão, piezoeletricidade e largo "bandgap"(6;2 eV) com estrutura cristalina wurtzítica hexagonal, pertencentes
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/01/2011
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3. Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados com o método de deposição assistida por feixe de íons / Growth and caracterization of ImN semiconductor films by ion beam assisted deposition
Neste trabalho, analisamos as propriedades estruturais, morfológicas e óticas de filmes finos de nitreto de índio, depositados em diferentes tipos de substratos (Si , safira-C, safira-A, safira-R, GaN/ safira e vidro) pelo método de deposição as s i s t ida por feixe de elétrons com energia de íons entre 100 e 1180 eV. A temperatura de substrato dura
Publicado em: 2008
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4. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007