Mosfet
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13. Analysis of transistor sizing and folding effectiveness to mitigate soft errors / Análise da influência do dimensionamento e partição de transistores e na proteção de circuitos contra efeitos de radiação
Este trabalho apresenta uma avaliação da eficiência do dimensionamento e particionamento (folding) de transistores para a eliminação ou redução de efeitos de radiação. Durante o trabalho foi construído um modelo de transistor tipo-n MOSFET para a tecnologia 90nm, utilizando modelos preditivos. O transistor 3D modelado foi comparado com o modelo de
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2009
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14. Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS. / Analog performance of dynamic threshold voltage SOI MOSFET.
This work presents the study of analog performance parameters of PDSOI (Partially-depleted) transistor in comparison with a Dynamic Threshold MOS transistor (DTMOS). The DTMOS is a partially-depleted device with dynamic threshold voltage. This variation of threshold voltage is obtained when the gate is connected to the silicon film (channel) of the PDSOI dev
Publicado em: 2009
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15. Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho são investigados filmes de oxinitreto de háfnio e silício (HfSixOyNz), oxinitreto de alumínio (AlOxNy), e oxinitreto de la
Publicado em: 2008
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16. Theoretical-experimental study of the drain current transient and generation lifetime in SOI MOSFETs technologies. / Estudo teórico-experimental do transitório da corrente de dreno e do tempo de vida de geração em tecnologias SOI MOSFETs.
This work presents a study of drain current switch-off transients and extraction methods of the generation lifetime in partially depleted SOI nMOSFET transistors of single gate, double gate and triple gate FinFETs. This study is accomplished through two-dimensional numerical simulations and compared with experimental data of devices fabricated in the IMEC (I
Publicado em: 2008
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17. Isolantes de porta com altas constantes dieletricas (High K) para tecnologia MOS / High K gate insulators for MOS technology
High k insulators for the next generation (sub-32 nm CMOS (complementary metaloxide-semiconductor) technology), such as titanium oxide (TiOx), titanium oxynitride (TiOxNy), titanium-aluminum oxynitride (AlxTiwOyNz), titanium-aluminum nitride (AlxTiwNz) and titanium-aluminum oxide (AlxTiwOy), have been obtained by Ti or Ti/Al e-beam evaporation, with addition
Publicado em: 2008
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18. Automação do projeto de módulos CMOS analógicos usando associações trapezoidais de transistores / Analog CMOS modules design automation using trapezoidal associations of transistors
A metodologia de projeto semi-customizado usando associações trapezoidais de transistores (TATs) é especialmente viável para o projeto de circuitos integrados mistos analógico- digitais. Vários trabalhos foram desenvolvidos demonstrando exemplos de aplicações que geraram bons resultados utilizando esta metodologia. Entretanto, ficou evidente a falta
Publicado em: 2008
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19. Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido (HfO2) e os silicatos de háfnio (HfSixOy). Para implementar esses novos dielétricos, é crucial controlar seus defeitos, em pa
Publicado em: 2008
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20. Estudo do efeito de elevação atípica da transcondutância na região linear de polarização em dispositivos SOI nMOSFETS ultra-submicrométricos. / Study of gate induced floating body effect in the linear bias region in deep submicrometer nMOSFETs devices.
This work presents the study of the Gate Induced Floating Body Effect (GIFBE) that occurs in the SOI MOSFET technology. This study has been performed based on experimental results and on numerical simulations, which were an essential auxiliary tool to obtain a physical insight of this effect. Besides the contribution on the physical explanation of this pheno
Publicado em: 2008
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21. Modelagem, simulação e fabricação de circuitos analógicos com transistores SOI convencionais e de canal gradual operando em temperaturas criogênicas. / Modeling, simulation and fabrication of analog circuits with standard and graded-channel SOI transistors operating at cryogenic temperatures.
Neste trabalho apresentamos a análise do comportamento analógico de transistores MOS implementados em tecnologia Silício sobre Isolante (SOI), de canal gradual (GC) e com tensão mecânica aplicada ao canal, operando em baixas temperaturas (de 380 K a 90 K), em comparação com dispositivos SOI convencionais. Este estudo foi realizado utilizando-se medida
Publicado em: 2008
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22. Study os self-heating effect in SOI transistors with graded-channel structure- GC SOI MOSFET. / Estudo do efeito de auto-aquecimento em transistores SOI com estrutura de canal gradual - GC SOI MOSFET.
Este trabalho apresenta o estudo do efeito de Auto-Aquecimento (Self-Heating SH) em transistores Silicon-On-Insulator (SOI) com estrutura de canal gradual (GC SOI MOSFET). São apresentadas as características da tecnologia SOI e em especial as características do transistor GC-SOI MOSFET. Foi realizada uma análise do SH usando uma comparação de dispositi
Publicado em: 2007
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23. Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização
O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), o óxido de silício (SiO2), por um material alternativo com maior constante dielétrica. Nesse contexto, vários materiais têm
Publicado em: 2007
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24. Junções rasas em Si e SIMOX
Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA, Rapid T
Publicado em: 2007