Mos Integrated Circuits
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1. An estimation method for gate delay variability in nanometer CMOS technology
In the nanoscale regime of VLSI technology, circuit performance is increasingly affected by variational effects such as process variations, power supply noise, coupling noise and temperature changes. Manufacturing variations may lead to significant discrepancies between designed and fabricated integrated circuits. Due to the shrinking of design dimensions, t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 2010
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2. Geração de tensão de referencia e sinal de sensoriamento termico usando transistores MOS em forte inversão / Reference voltage and temperature sensing signal generation using MOS transistors in strong inversion
Fontes de referência de tensão e sensores de temperatura são blocos extensivamente utilizados em sistemas microeletrônicos. Como alternativa à aplicação de estruturas consolidadas, mas protegidas por acordos de propriedade intelectual, é permanente a demanda pelo desenvolvimento de novas técnicas e estruturas originais destes circuitos. Também se d
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 07/08/2009
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3. Circuito elevador de tensão de alta eficiencia, controlado por duas fases de clock, implementado em tecnologia CMOS / High efficiency voltage mutiplier circuit, controlled by two clock phases, fabricated in CMOS technology
Este trabalho propõe uma nova estrutura de circuito elevador de tensão de onda completa implementável em tecnologia CMOS padrão, que tem como características relevantes uma eficiência energética maior do que estruturas similares anteriores, seu controle é efetuado por apenas duas fases de clock e também esta estrutura implementa controle de sobre-te
Publicado em: 2009
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4. Circuitos integrados de radio-recepção para a operação de multiplexação espacial de antenas em tempo real / Integrated circuits of radio-reception for spatial multiplexing of antennas in real time
This research aims the conception of new topologies of integrated circuits and its characterizations for operation in radio-receiver systems. The design and fabrication of RF switches, LNAs, mixer, and VCOs are presented. The SMILE - Spatial MultIplexing of Local Elements - technique was adopted due to its advantages and functionality for the intelligent ant
Publicado em: 2008
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5. Design of a low noise amplifier considering noise and power. / Projeto de um amplificador de baixo ruído em CMOS considerando o ruído e a potência.
Esta dissertação apresenta o projeto de um amplificador de baixo ruído (LNA) para aplicação em 2,4 GHz na tecnologia CMOS 0,35 µm. A metodologia baseia-se na obtenção das dimensões dos dispositivos do circuito considerando o consumo de potência e o desempenho em relação ao ruído. Os resultados mostram que a metodologia implementada é eficaz no
Publicado em: 2008
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6. Project of circuits for generation of voltage reference in receiving/transmitting RF systems. / Projeto de circuitos para geração de tensão de referência em sistemas receptores/transmissores RF.
This work consists in the design of a CMOS Voltage Reference Source with a temperature coefficient inferior to 50 ppm/ºC. This voltage source should be applied in radio frequency receptor/transmitter but can be also applied in any analog system. The technology employed in the design is the CMOS 0.35 µm from the AMS (Austria Micro Systems) with four metal l
Publicado em: 2007
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7. Study and design of dual-modulus prescaler circuits with a CMOS technology. / Estudo e projeto de circuitos dual-modulus prescalers em tecnologia CMOS.
Este trabalho consiste no estudo e projeto de circuitos Dual-Modulus Prescaler utilizados em sistemas de comunicação RF (radio frequency). Sistemas de comunicação RF trabalham em bandas de freqüência pré-definidas e dentro destas há, normalmente, vários canais para transmissão. Neste caso, decidido o canal onde se vai trabalhar, o receptor e o tran
Publicado em: 2006
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8. Analogic memories characterization implemented with floating gate MOS transistors / Caracterização de memorias analogicas implementadas com transistores MOS floating gate
Monolithic integration of memories and analog circuits ,in the same die offers interesting advantages like: smaller application boards, higher robustness and mainly lower costs. Today, a profitable integration of these kind of circuit can only be possible using conventional CMOS technology, which allows efficiently extraordinary levels of integration. Thus,
Publicado em: 2005
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9. Fonte de tensão de referencia ajustavel implementada com transistores MOS / Adjustable voltage reference source implemented with MOS transistors
Uma nova técnica de compensação de temperatura para implementar tensões de referência em circuitos CMOS é descrita, desde o seu fundamento teórico até a comprovação experimental feita com amostras de circuitos integrados protótipos que a implementam. A ténica proposta se baseia no fato de que a tensão entre gate1, e fonte, VGS, de um transistor
Publicado em: 2005
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10. Study and design of high speed D/A converter in CMOS tecnology. / Estudo e projeto de um conversor D/A de alta velocidade em tecnologia CMOS.
Neste trabalho é descrito o projeto e testes de um conversor digital/analógico de alta velocidade fabricado em tecnologia CMOS. O conversor pojetado possui resolução de 6 bits, trabalha em freqüência de 200 MSample/s, e foi fabricado na tecnologia CMOS de 0,35 µm da AMS (Austriamicrosystems), com quatro níveis de metal e 2 de silício policristalino.
Publicado em: 2005