Microeletronica Do Vacuo
Mostrando 1-3 de 3 artigos, teses e dissertações.
-
1. Development of field emission devices fabricated by HI-PS technique. / Desenvolvimento de dispositivos de emissão por efeito de campo elétrico fabricados pela técnica HI-PS.
Um novo processo de fabricação de dispositivos de emissão de campo (FE) em silício (Si) é apresentado nesta tese, baseado na potencialidade de utilização da técnica de microusinagem denominada HI-PS (Hydrogen Ion Porous Silicon), que trata da combinação entre processos de implantação de hidrogênio e silício poroso. Por meio do procedimento prop
Publicado em: 2008
-
2. Desenvolvimento de micropontas de silício com eletrodos integrados para dispositivos de emissão por efeito de campo. / Development of silicon microtips with integrated electrical contacts for field emission devices.
This work presents a fabrication method of silicon microtips with integrated electrical contacts into the structure. Our motivation is the future development of field emission devices - FED, however our focus in this research is the microstructure fabrication process. This method is based on: (i) anisotropic under-etch method that occurs in the silicon subst
Publicado em: 2007
-
3. Estudo dos efeitos do confinamento quantico em particulas nanoscopicas de silicio
Neste trabalho propomos o crescimento e a caracterização de nanocristais de silício visando o estudo do efeito do confinamento quântico nas propriedades óticas e elétricas destes materiais. Baseados em resultados preliminares que mostraram evidências de confinamento quântico em diodos de tunelamento ressonante de silício, desenvolvemos um novo tipo
Publicado em: 1995