Interacao Eletron Fonon
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13. Relaxação de portadores via interação eletron-fonon em pontos e poços quanticos
A interação entre elétrons e fônons é um importante ingrediente para qualquer discussão realista das propriedades ópticas em sistemas de dimensão reduzida. É também relevante para determinar a dinâmica de portadores em dispositivos semicondutores e para o estudo das transições radiativas em dispositivos fotônicos. Adicionalmente, existe muito i
Publicado em: 1999
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14. Cinetica ultra-rapida do plasma fotoinjetado em semicondutores
Neste trabalho foi estudado com certo grau de detalhe a cinética de relaxação ultra-rápida no plasma fotoinjetado em semicondutores polares. Empregando-se a teoria cinética não-linear, derivada do Método do Operador Estatístico de Não Equilíbrio, obteve-se as equações de evolução para o conjunto de variáveis macroscópicas que caracterizam o e
Publicado em: 1999
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15. Efeitos de não-parabolicidade das taxas de transição intra e intersub-banda em poços quanticos via emissão de fonons oticos
Não informado.
Publicado em: 1996
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16. Espalhamento elétron-fônon ótico em fios quânticos de GaAs/Ga1-XAlXAs / Electron-optical phonon scattering in quantum wires of GaAs/Ga1-XAlXAs
Investigamos os efeitos de tamanho e do potencial de confinamento finito V0 nas taxas de espalhamento de absorção e de emissão de elétrons interagindo com os fônons longitudinais ópticos (fônons LO) de um fio quântico cilíndrico de GaAs à temperatura ambiente. Calculamos as taxas de espalhamento inter e intra-sub-banda e a taxa de espalhamento tota
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/09/1992
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17. Polaronic effects in one and two dimensional semiconductor heterostructures. / Efeitos polarônicos em estruturas semicondutoras em uma e duas dimensões.
In this work we study the polaronic effects on the two dimensional electron gas present in semiconductor heteroestructures (GaAs-AlGaAs heterojunctions and quantum wells) when a uniform magnetic field is applied perpendicular to the interface, using second order perturbation theory. By taking into account the effect of nonparabolicity and screening of the el
Publicado em: 1988
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18. Ressonancia e interferencia no espalhamento Raman em semicondutores
Neste trabalho, estuda-se o mecanismo pelo qual se dá o espalhamento Raman de luz em semicondutores. Inicialmente faz-se este estudo na região de ressonância ( hwL ~ Eg ) em semicondutores com banda de condução não populada ( T ~ 0 ), usando-se a técnica de propagadores. Como estado intermediário para o processo considera-se o polaron. Para a intera�
Publicado em: 1977
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19. Dependencia das interações eletron-fonon com respeito ao vetor de onda das excitações LO, TO e polariton
Não informado.
Publicado em: 1974
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20. Transição doador-aceitador e replicas de fonons
Not informed.
Publicado em: 1974