Indium Nitride
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1. Study of indium nitride and indium oxynitride band gaps
This work shows the study of the optical band gap of indium oxynitride (InNO) and indium nitride (InN) deposited by magnetron reactive sputtering. InNO shows multi-functionality in electrical and photonic applications, transparency in visible range, wide band gap, high resistivity and low leakage current. The deposition processes were performed in a magnetro
Mat. Res.. Publicado em: 07/05/2013
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2. Estudo das propriedades eletro ópticas de filmes finos de nitreto de índio nanoestruturado e de sua aplicação em dispositivos fotônicos e opto eletrônicos. / Study of electro optic properties of nanostructured indium nitride thin films and aplication in opto electronics and photonics devices.
O nitreto de índio (InN) e seus derivados (como o oxi-nitreto de índio) são materiais com alta potencialidade de aplicações em dispositivos optoeletrônicos devido às suas propriedades ópticas e eletrônicas. Para o InN foi obtido originalmente um band gap em torno de 1,9 eV e, apesar deste valor aparecer com freqüência na literatura, têm se obtido
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/08/2011
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3. Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados com o método de deposição assistida por feixe de íons / Growth and caracterization of ImN semiconductor films by ion beam assisted deposition
Neste trabalho, analisamos as propriedades estruturais, morfológicas e óticas de filmes finos de nitreto de índio, depositados em diferentes tipos de substratos (Si , safira-C, safira-A, safira-R, GaN/ safira e vidro) pelo método de deposição as s i s t ida por feixe de elétrons com energia de íons entre 100 e 1180 eV. A temperatura de substrato dura
Publicado em: 2008
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4. Electron mobility study of hot-wall CVD GaN and InN nanowires
A review of the dependence of the electron mobility on the free carrier concentration for gallium nitride and indium nitride nanowires grown using hot-wall chemical vapour deposition is presented. Gallium nitride nanowires exhibit mobilities of 100 cm²/Vs to below 1 cm²/Vs for carrier concentrations of 10(19) to 10(20) cm- 3. Theoretical estimations and an
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-09
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5. Production and characterization of indium oxide and indium nitride
Thin films of indium oxide 200 nm thick and indium nitride 150 nm thick were produced by reactive sputtering deposition onto soda lime substrates. The Indium cathode was kept under vacuum attached to a high voltage dc. The In xOy films were obtained in argon-oxygen mixture with total pressure between 2 and 7 Pa, current density between 0.04 and 0.56 mA/cm²
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-09