Implantacao Ionica
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13. Estudo da difusão de intersticiais em matrizes de α-Ti
O objetivo desta dissertação consiste no estudo da difusão dos intersticiais, 15N e 18O, em uma matriz de α-Ti. A motivação se origina do fato de haver na literatura resultados contraditórios sobre o comportamento difusivo destes elementos, e de estudar a influência de impurezas presentes na matriz sobre os coeficientes de difusão obtidos para átom
Publicado em: 2011
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14. Avaliação e otimização do uso de zeólitas no tratamento terciário de efluentes líquidos industriais
Empresas estão diante de uma política ambiental cada vez mais rígida, que estabelece padrões de emissão para os poluentes contidos em seus efluentes líquidos industriais. Com isso, elas têm sido levadas a ajustar os processos produtivos, através da adoção de procedimentos que visam menor geração de rejeitos, e também, a possuírem sistemas de tr
Publicado em: 2011
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15. Avaliação comparativa de recobrimentos superficiais para tuchos de válvula através de ensaios de desgaste / Comparative evaluation of surface coating for valve lifters through wear tests
Com o intuito de avaliar a eficiência de diferentes recobrimentos superficiais aplicados a tuchos de válvulas - um componente utilizado em motores à combustão - foram propostos alguns recobrimentos que foram comparados a um recobrimento já utilizado pela indústria. Para as avaliações foram realizados ensaios de microdureza, ensaios de desgaste micro-
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/07/2010
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16. Formação de ilhas metálicas de Sn e Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 via implantação iônica e tratamento térmico
Neste trabalho estudou-se a estruturação de partículas de Sn ou Pb em interfaces SiO2/Si e SiO2/Si3N4 pela técnica de implantação iônica seguida de tratamento térmico em alta temperatura. A formação de partículas de Sn em interfaces SiO2/Si foi estuda em função do tempo de recozimento em fluxo de N2. Os dados experimentais demonstraram que este
Publicado em: 2010
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17. Modificação da superfície da liga Ni-Ti com efeito de memória de forma por implantação iônica por imersão em plasma de nitrogênio.
As ligas Ti-Ni com efeito de memória de forma possuem aplicações em diversas áreas por apresentarem alta ductilidade e boa resistência à fadiga e a corrosão. É um material promissor na área biomédica devido às propriedades de efeito de memória de forma e superelasticidade. Uma possibilidade para melhorar as propriedades tribológicas e a biocompa
Publicado em: 2010
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18. Implantação iônica de baixa energia em polímero para desenvolvimento de camadas compósitas nanoestruturadas condutoras litografáveis. / Low energy ion implantation into polymers to develop conductive composite layers for lithography.
Electronics using polymers instead of silicon is a recent research area with promising economic perspectives. Polymer with metallic particles composites presents interesting electrical, magnetic and optical properties and they have been produced by a broad variety of techniques. Metal ion implantation using plasma is one of the used methods to obtain conduct
Publicado em: 2010
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19. Estudo estrutural de nanossistemas semicondudores e semicondutores implantados por difração de raios-X de n-feixes / Structural study of semiconductors nanosystems and implanted semiconductors by means of n-beams X-ray diffraction
In this paper, X-ray multiple diffraction (MD) associated with the advantages of synchrotron radiation appears as a high-resolution microprobe and it is used to obtain relevant contributions to the study of structural properties of semiconductor materials, as they present themselves nanosystems epitaxial or implanted with ions. The study and detection of neg
Publicado em: 2010
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20. Estudo da produção biotecnológica de xilitol em reator de leito fluidizado utilizando bagaço de cana-de-açúcar e células imobilizadas: Avaliação de parâmetros operacionais e viabilidade econômica / Study of the biotechnological production of xylitol in a fluidized bed reactor using sugarcane bagasse and immobilized cells: evaluation of operational parameters and economical viability
O xilitol vem se destacando nas áreas alimentícia, odontológica, farmacêutica e médica, além de apresentar significativo potencial de aplicação em outros segmentos industriais (têxteis e químicos). Os benefícios do xilitol abriram as portas para novas áreas de venda além de crescimento no setor de póliols e adoçantes no mercado mundial. O pres
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 21/08/2009
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21. Deposição de filmes de carbono tipo diamante sobre substratos metálicos por meio da técnica de implantação iônica por imersão em plasma.
Os filmes de carbono tipo diamante (DLC) são materiais que possuem excelentes propriedades tais como: alta dureza, alta resistência ao desgaste, baixo coeficiente de atrito, biocompatibilidade, inércia química, baixa rugosidade, transparência óptica, alta resistividade elétrica entre outras, o que fazem com que o DLC tenha uma variedade de aplicaçõe
Publicado em: 2009
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22. Formação de nanopartículas de Sn e PbSe via implantação iônica em Si(100)
O silício (Si) é o material mais utilizado na fabricação de dispositivos microeletrônicos e fotovoltaicos devido às suas excelentes propriedades físicas e ao alto grau de desenvolvimento das tecnologias de produção alcançadas pela indústria. Conseqüentemente, materiais compatíveis com o Si são alternativas importantes para ampliar o desempenho
Publicado em: 2009
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23. Síntese de SiC por implantação iônica de carbono em SIMOX(111) e Si(111)
SiC é um semicondutor promissor para dispositivos eletrônicos de alta-potência, alta-freqüência e alta temperatura e a síntese de uma camada epitaxial de SiC por implantação, na superfície do Si, pode ser uma via de integração com a tecnologia de Si. Implantação em alta temperatura (600°C) através de uma capa de SiO2, recozimento pós-implanta
Publicado em: 2009
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24. Redistribuição e ativação de dopantes em Si com excesso de vacâncias
A redistribuição e ativação elétrica dos dopantes tipo n (As e Sb) e tipo p (Ga e In) em Si com excesso de vacâncias foram analisadas. As vacâncias foram geradas por implantação iônica de altas doses de oxigênio ou nitrogênio em alta temperatura, de acordo com procedimentos já estudados. Em seguida foram implantados os dopantes com dose de 5x101
Publicado em: 2009