Implantacao De Ion
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1. Produção e caracterização de filmes finos recobertos com albumina e fibronectina
Propriedades relacionadas ao aumento da durabilidade dos implantes e respostas biológicas mais rápidas e confiáveis são comumente exploradas em pesquisa científica de diferentes áreas. Os fenômenos físico-químicos que ocorrem na superfície da interface osso/implante determinam as respostas biológicas subsequentes à implantação do biomaterial e,
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 28/06/2012
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2. Estudo da biocompatibilidade do cimento de aluminato de cálcio para uso odontológico, avaliação do pH, liberação de íons cálcio e atividade antimicrobiana / Biocompatibility of calcium aluminate cement for dental use, evaluation of pH, calcium ion release and antimicrobial activity
O objetivo desse estudo foi avaliar o pH, a liberação de íons cálcio, a atividade antimicrobiana in vitro de cimento de aluminato de cálcio (EndoBinder) com diferentes radiopacificadores (óxido de bismuto, óxido de zinco e óxido de zircônia) e a biocompatibilidade do cimento acrescido de óxido de bismuto como agente radiopacificador, em comparaçã
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/04/2012
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3. Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso / Influência da implantação de íons de argônio por IIIP na formação do silício poroso
O silício é o material dominante na área de microeletrônica devido à conveniência de suas propriedades elétricas, mas em detrimento da natureza de sua estrutura eletrônica suas propriedades associadas a foto-emissão são de rendimento muito baixo, fato que descarta sua aplicação em dispositivos optoeletrônicos, como: leds, lasers, displays, e div
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 20/07/2011
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4. Implantação iônica por imersão em plasma em materiais metálicos leves
Este projeto de pesquisa de doutoramento envolveu o tratamento superficial das ligas AA7075 e Ti6Al4V, empregando a técnica de implantação iônica por imersão em plasma (3IP ou IIIP). Foram testados 4 regimes de processos 3IP: 1) Baixas energias e temperaturas; 2) Energias e temperaturas moderadas; 3) Baixa energia e alta temperatura; 4) Energia moderada
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/05/2011
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5. Implantação iônica por imersão em plasma em materiais metálicos leves
Este projeto de pesquisa de doutoramento envolveu o tratamento superficial das ligas AA7075 e Ti6Al4V, empregando a técnica de implantação iônica por imersão em plasma (3IP ou IIIP). Foram testados 4 regimes de processos 3IP: 1) Baixas energias e temperaturas; 2) Energias e temperaturas moderadas; 3) Baixa energia e alta temperatura; 4) Energia moderada
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/05/2011
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6. Modificação superficial de titânio para promoção de osteointegração / Titanium modification for the promotion of osteointegration
O titânio é considerado um biomaterial (material biocompatível) pela baixa reatividade e pela grande estabilidade da sua camada de óxido superficial. Pelas suas propriedades mecânicas ele é usualmente utilizado na fabricação de substitutos ósseos e implantes dentários. Visando contribuir para o desenvolvimento de novas superfícies osteointegrávei
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 09/05/2011
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7. AÇO DUPLEX LDX 2101 SUBMETIDO À NITRETAÇÃO POR IMPLANTAÇÃO IÔNICA, IMPLANTAÇÃO IÔNICA POR IMERSÃO EM PLASMA E DESCARGA LUMINOSA: PROPRIEDADES MECÂNICAS E TRIBOLÓGICAS
In the present work showing the results on mechanical and tribological properties of duplex stainless steel LDX2101 nitriding by Ion Implantation (II), Plasma Immersion Ion Implantation (PI3) and Glow Discharge (GD). Nitrogen ion implantation was performed at room temperature and 350 C. The nitrogen fluencies were combined to obtain an atomic nitrogen concen
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/04/2011
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8. Threshold shifting of nmos transitions by arsenic ion implantation prior to gate oxidation
This paper reports on the threshold adjustment of NMOS transistors by arsenic ion implantation in the channel region directly into bare silicon just before the gate oxidation. Experimental results showed very good uniformity and reproducibility of the threshold voltages, low body effect, and high mobility values.
Publicado em: 2011
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9. Magnetostriction in ar/sup +/ implanted and annealed co/pd multilayers
Magnetostriction curves with (111) textured polycrystalline Co/Pd multilayers, as deposited or submitted to ArS ion implantation or thermal annealing, are presented and discussed. Both treatments, while promoting intermixing among CO and Pd atoms, induce an increase in the saturation magnetostriction values. The evolution of the engineering curves, however,
Publicado em: 2011
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10. Estabilidade térmica de bolhas de Ne e He produzidas por implantação em Si(111)
O crescimento epitaxial de GaN sobre substrato Si leva a possibilidade de integração entre as tecnologias que empregam GaN e Si. No entanto, uma diferença de ~17% entre os parâmetros de rede gera discordâncias que reduzem a qualidade da camada de GaN crescida. A fim de melhorar essa camada de GaN, um método baseado na formação de bolhas de He pressur
Publicado em: 2011
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11. Avaliação comparativa de recobrimentos superficiais para tuchos de válvula através de ensaios de desgaste / Comparative evaluation of surface coating for valve lifters through wear tests
Com o intuito de avaliar a eficiência de diferentes recobrimentos superficiais aplicados a tuchos de válvulas - um componente utilizado em motores à combustão - foram propostos alguns recobrimentos que foram comparados a um recobrimento já utilizado pela indústria. Para as avaliações foram realizados ensaios de microdureza, ensaios de desgaste micro-
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/07/2010
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12. Implantação iônica de baixa energia em polímero para desenvolvimento de camadas compósitas nanoestruturadas condutoras litografáveis. / Low energy ion implantation into polymers to develop conductive composite layers for lithography.
Electronics using polymers instead of silicon is a recent research area with promising economic perspectives. Polymer with metallic particles composites presents interesting electrical, magnetic and optical properties and they have been produced by a broad variety of techniques. Metal ion implantation using plasma is one of the used methods to obtain conduct
Publicado em: 2010