Heteroestruturas Semicondutoras
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1. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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2. Transições ópticas em heteroestruturas semicondutoras Zincblende com duas sub-bandas / Optical transitions in Zincblende semiconductors heterostructures with two sub-bands
Apresento neste trabalho uma derivação alternativa da hamiltoniana efetiva para um elétron na banda de condução de uma heteroestrutura semicondutora de rede Zincblende. Partindo do modelo de Kane 8 × 8 e da aproximação das funções envelope, esta hamiltoniana efetiva foi obtida com a linearização dos denominadores (dependentes das autoenergias) pr
Publicado em: 2011
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3. Analisys of the atomic orbitals spin information in the calculation of semiconductors strucutures properties / Análise da informação do spin dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades de estruturas semicondutoras
O presente trabalho é um estudo sobre a importância da informação dos orbitais atômicos no cálculo de propriedades optoeletrônicas de heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade. O trabalho é dividido em duas partes: na primeira parte, é estudada a simetria de reversão temporal no hamiltoniano k . p, analisando a preservação da info
Publicado em: 2010
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4. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy
Publicado em: 2010
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5. Propriedades de transporte de spins polarizados em heteroestruturas semicondutoras
Neste trabalho usamos a técnica da matriz de espalhamento para calcular a trans- missividade de spins polarizados através de heteroestruturas semicondutoras de dupla barreira simétrica. A dinâmica dos portadores é descrita pela aproximação de massa efetiva aplicada aos modelos de Dresselhaus e Bychkov-Rashba. Sendo o primeiro hamil- toniano estudado e
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 25/06/2009
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6. Transporte eletrônico em super-redes semicondutoras: fingerprints de acoplamento, confinamento e assimetria em curvas de densidade de corrente / Electronic transport in semiconductor super-networks: fingerprints of engagement, containment and asymmetry in the current density curves
Neste trabalho fazemos um estudo sistemático do transporte eletrônico coerente em curvas de J(Vex) no regime balístico, de Super-Redes semicondutoras (SRs) baseadas em Heteroestruturas de GaAs/AlGaAs. Nosso objetivo principal é identicar os Fingerprints de connamento e acoplamento em curvas de corrente-voltagem, induzidos pela assimetria do sistema quand
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/06/2009
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7. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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8. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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9. Confinamento quÃntico em hetero-estruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
Os materiais semicondutores sÃo responsÃveis pelo grande desenvolvimento na indÃstria eletrÃnica e surgimento de novas tecnologias. O conceito de hetero-estrutura deu um grande impulso à fÃsica do estado sÃlido. à impossÃvel imaginar a moderna fÃsica do estado sÃlido sem hetero-estruturas semicondutoras. A fÃsica de semicondutores està atualment
Publicado em: 2008
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10. Fabrication using inkjet and characterization of polymer radiation dosimeter for UV-blue. / Preparação por inkjet e caracterização de dosímetros poliméricos para radiação UV-azul.
Ao final da década de 1980, pesquisadores da empresa Eastman Kodak anunciaram as propriedades eletroluminescentes de materiais orgânicos não poliméricos. Seguindo essa linha, em 1990, um grupo de pesquisadores ingleses demonstrou propriedades semelhantes para os polímeros, utilizando-os como elementos ativos de dispositivos emissores de luz. Era este o
Publicado em: 2008
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11. Confinamento em fios quÃnticos semicondutores. / Confinamento em fios quÃnticos semicondutores.
AvanÃos nas tÃcnicas de crescimento tÃm tornado possÃvel a fabricaÃÃo de estruturas semicondutoras unidimensionais em escala nanomÃtrica, chamadas de fios quÃnticos. O interesse nestas estruturas tem crescido bastante, devido a suas aplicaÃÃes em dispositivos eletrÃnicos e tambÃm devido a sua quÃmica ser facilmente manipulÃvel. Em particular, t
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 17/07/2007
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12. Propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras magnéticas diluídas. / Electronic properties of diluted magnetic semiconductor heterostructures
Neste trabalho e apresentado um estudo, via teoria de massa efetiva multibanda autoconsistente de heteroestruturas de semicondutores magnéticos diluídos, generalizada para incluir parâmetros de diferentes materiais. A interacao magnética e descrita por um modelo de campo médio baseado no mecanismo de troca indireta, com a possibilidade de inclusão de d
Publicado em: 2007