Heteroestrutura Semicondutora
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1. Transições ópticas em heteroestruturas semicondutoras Zincblende com duas sub-bandas / Optical transitions in Zincblende semiconductors heterostructures with two sub-bands
Apresento neste trabalho uma derivação alternativa da hamiltoniana efetiva para um elétron na banda de condução de uma heteroestrutura semicondutora de rede Zincblende. Partindo do modelo de Kane 8 × 8 e da aproximação das funções envelope, esta hamiltoniana efetiva foi obtida com a linearização dos denominadores (dependentes das autoenergias) pr
Publicado em: 2011
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2. Caracterização Ótica de Poços Quânticos de GaMnAs
Neste trabalho realizamos a caracterização ótica de hetero-estruturas semicondutoras baseadas em semicondutores magnéticos diluídos (Diluted Magnetic Semiconductor-DMS). Em particular, estudamos poços quânticos (QW) de GaAs/AlAs/Ga1-xMnxAs, com baixa concentração de Mn ( 0≤x≤0,2) crescidas em alta temperatura (450C) pela técnica de BEM
Publicado em: 2007
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3. Estudos por espectroscopia Raman da heteroestrutura semicondutora InxGa1-xP/GaAs.
In this work, the technique Raman spectroscopy is used in order to study InxGa1-xP films grown with different thickness on GaAs (001). Two sets of samples grown by CBE (Chemical Beam Epitaxy) were analized: the first a GaAs buffer layer of 3000 Ǻ and the second with an 1800 Ǻ buffer layer. Concerning vibrational modes, it was possibleto conclude th
Publicado em: 2005