Hemts
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1. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs): Princípios de operação e características eletrônicas
O ensino de física dos dispositivos semicondutores é absolutamente fundamental para o desenvolvimento da microeletrônica. Contudo, cursos introdutórios nesta área muitas vezes se limitam a apresentar modelos analíticos excessivamente simplificados, que possibilitam uma compreensão intuitiva, mas incapazes de captar toda a complexidade dos dispositivos
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 2015-12
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2. ESTUDO TEÓRICO E EXPERIMENTAL SOBRE HEMTS DE MICROONDAS / THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY ON MICROWAVE HEMTS
Neste trabalho é realizado um estudo sobre os transistores HEMT. A partir da geometria do dispositivo, espessuras e densidades de dopagem das camadas que compõem a heterojunção, são obtidas expressões analíticas para a característica IXV do componente bem como para o circuito equivalente de pequenos sinais na faixa de microondas. Posteriormente, os p
Publicado em: 1991
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3. Projeto e implementação de amplificadores distribuidos para recepção de sinais de alta velocidade
This work presents the design and implementation of hybrid distributed amplifiers, intendedfor advanced microwave systems that work with high velocity digital signals. Initially, approximated expressions for the computation of power gain and noise figure of these amplifiers were developed. Such equations allow the investigation of the frequency behavior and
Publicado em: 1991