Hafnio
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1. Investigação de interações hiperfinas em pó e filmes finos de dióxido de háfnio pela técnica de correlação angular gama-gama perturbada / Hyperfine Interaction study in the powder and thin films of HfO2 by Perturbed Angular Correlation Technique
Neste trabalho foi realizada a investigação de interações hiperfinas em amostra nano estruturadas e filmes finos de dióxido de háfnio por meio da técnica de correlação angular gama-gama perturbada (CAP), com o intuito de realizar um estudo sistemático do comportamento dos parâmetros quadrupolares com a temperatura de tratamento térmico. Para a re
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/01/2012
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2. Aplicação da espectroscopia de correlação angular perturbada na investigação de interações hiperfinas em compostos de háfnio, indio e cádmio com os ligantes F1-, OH1- e EDTA / Application of the perturbed angular correlation in the inestigation of hyperfine interactions in compounds of hafnium, indium and cadmium with F1-, OH1- and EDTA ligands
O presente trabalho realiza a investigação dos parâmetros hiperfinos, incluindo a sua natureza dinâmica, em compostos ligantes em solução a temperatura ambiente (295 K) e resfriada (77K) através da espectroscopia de Correlação Angular γγ Perturbada (CAP). Para a realização das medidas experimentais, utilizou-se núcleos de prova radioa
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 22/06/2011
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3. Combined U-Pb and Lu-Hf isotope analyses by laser ablation MC-ICP-MS: methodology and applications
O sistema isotópico Lutécio-Hafnio representa uma das ferramentas mais recentes e poderosas para estudos isotópicos e geocronológicos. Análises combinadas in situ de U-Pb e Lu-Hf sobre zircão pelo LA-MC-ICP-MS permitem caracterizar iso-topicamente o magma onde ele cristalizou, fornecendo valiosas informações para estudos de proveniência de sedimento
Anais da Academia Brasileira de Ciências. Publicado em: 2010-06
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4. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. / Study of SOI multiple gate transistors with gate oxide of high dieletric constant and metal gate electrode.
Este trabalho tem como objetivo investigar o comportamento de transistores SOI de porta tripla com óxido de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta de metal. Inicialmente estudou-se a aplicação dos métodos de extração de parâmetros através de curvas da capacitância, previamente desenvolvidos para estruturas SOI planares, em dispositi
Publicado em: 2010
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5. Estudo de Interações Hiperfinas em Óxidos RCoO3 (R= Gd e Tb) e Filmes Finos de HfO2 por Meio da Técnica de Espectrospia de Correlação Angular Gama- Gama Perturbada / Hyper¯ne Interaction Study in RCoO3 (R = Gd and Tb) and HfO2 thin ¯lm oxides by Perturbed Angular Correlation Technique
In the present work, the Perturbed Angular Gamma-Gamma Correlation technique (PAC) was used to measure the Electric Field Gradient (EFG) in two oxide systems: RCoO3 (R = Gd, Tb) perovskite oxide and HfO2 in order to study the behavior of the EFG as a function of temperature. Electric quadrupole hyper¯ne interaction measure- ments were carried out using 111I
Publicado em: 2009
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6. Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido (HfO2) e os silicatos de háfnio (HfSixOy). Para implementar esses novos dielétricos, é crucial controlar seus defeitos, em pa
Publicado em: 2008
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7. Estabilização de nanoestruturas dielétricas de alta permissividade por incorporação de nitrogênio
Atualmente os candidatos mais prováveis para aplicação como dielétrico de porta nas próximas gerações de dispositivos MOSFET são os filmes de silicato e aluminato metálicos com nitrogênio em sua composição. Neste trabalho são investigados filmes de oxinitreto de háfnio e silício (HfSixOyNz), oxinitreto de alumínio (AlOxNy), e oxinitreto de la
Publicado em: 2008
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8. Transporte atômico e estabilidade em dielétricos alternativos para a tecnologia do Si
Esta tese trata do estudo experimental de fenômenos de transporte atômico e reação química em filmes ultra-finos dielétricos sobre Si. Esses dielétricos são materiais alternativos ao óxido de silício utilizado em dispositivos basedos na estrutura metal-óxido-semicondutor. Foram investigados os seguintes materiais: silicato e aluminato de háfnio,
Publicado em: 2007
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9. Caracterização elétrica de estruturas metal/dielétrico high-k/Si
Foram estudadas as propriedades elétricas de estruturas MOS envolvendo materiais com Zr e Hf: Al/HfO2/Si, Al/HfAlO/Si, Al/ZrO2/Si e Al/ZrAlO/Si depositadas por JVD (Jet Vapor Deposition) submetidas a diferentes doses de implantação de nitrogênio e tratamentos térmicos; Au/HfO2/Si e Au/HfxSiyOz/Si preparadas por MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposi
Publicado em: 2007
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10. Estudo da estabilidade termodinâmica de filmes ultrafinos de HfO/sub 2/ sobre Si
O presente estudo relata a composição, transporte atômico, estabilidade termodinâmica e as reações químicas durante tratamentos térmicos em atmosfera de argônio e oxigênio, de filmes ultrafinos de HfO2 depositados pelo método de deposição química de organometálicos na fase vapor (MOCVD) sobre Si, contendo uma camada interfacial oxinitretada em
Publicado em: 2007
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11. Metais raros associados ao granito desemborque : estudo mineralogical and chemical study using MEV-EDS / Rare metals associated to desemborque granite : mineralogical and chemical study using MEV-EDS
The Desemborque Granite, a body almost of circular shape, placed in the southernmost part of São Paulo State, has an area of ca. 50 km2. and it is represented by a sienogranite biotite. Its peraluminous features with significant contents of K2O and Na2O, together with low CaO contents, high Fe/Mg ratios, elevated values of SiO2 and trace elements as Zr, Nb
Publicado em: 2007
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12. 3-phenyl-4-acyl-5-isoxazolones as reagents for liquid-liquid extraction of tetravalent zirconium and hafnium from acidic chloride solutions
Extração líquido-líquido de zircônio e háfnio tetravalentes, a partir de soluções de ácido clorídrico, foi investigada usando-se 3-fenil-4-acil-5-isoxazolonas em xileno, tais como 3-fenil-4-benzoil-5-isoxazolonas (HPBI), 3-fenil-4-(4-fluorobenzoil)-5-isoxazolona (HFBPI) e 3-fenil-4-(4-toluoil)-5-isoxazolona (HTPI). A extração de zircônio(IV) / h
Journal of the Brazilian Chemical Society. Publicado em: 2006-08