Greens Function
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13. Método espectro-nodal linear para problemas de transporte de nêutrons na formulação de ordenadas discretas em geometria bidimensional cartesiana / Spectral greens function-linear nodal method for problems of neutrons transport in the discrete ordinates formulation in X, Y Cartesian geometry
Nesta tese o método espectro-nodal linear (SGF-LN) é desenvolvido para a solução numérica de problemas de penetração profunda na formulação de ordenadas discretas (SN) e regime estacionário com fonte de espalhamento isotrópica a uma velocidade em geometria cartesiana bidimensional. Este método é baseado em análise espectral das equações SN in
Publicado em: 2006
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14. Desenvolvimento de antenas de microfita com aberturas nos patches condutores através do método da segmentação
As antenas de microfita são estruturas muito utilizadas nos sistemas de telecomunicações atuais. Isto decorre, principalmente, da diversidade de configurações e da facilidade de construção e integração dessas antenas com outros dispositivos e circuitos de altas freqüências. Neste trabalho, o método de análise empregado é o Modelo de Circuito de
Publicado em: 2005
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15. Junções e Anéis Tipo Y de Nanotubos de Carbonbo
Nanotubos de carbono são moléculas cilíndricas que apresentam propriedades mecânicas e eletrônicas bastante interessantes e podem ser descritos como uma folha de grafeno enrolada em forma de tubo. Dependendo apenas dos detalhes de sua geometria, estes sistemas apresentam caráter metálico ou semicondutor e são fortes candidatos a atuar como condutores
Publicado em: 2003
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16. Obtenção do fator de intensidade de tensão pelo método da função de green local modificado
The stress intensity factor is of paramount importance at failure analysis, fatigue and fracture mechanics, this methodology is used when the cost is high and the safety essential. In this way, a lot of methods have been used and, among of them, one has the Finite Element and the Boundary Element methods, the first needs a fine mesh getting a high computatio
Publicado em: 1993
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17. Defeitos localizados em semicondutores
We have calculated the position in the gap for ideal vacancy states (C, Si, Ge, GaAs, InP, AlAs e ZnSe), and made partial calculations for localized states in the gap for interstitial (Td) transitions metals (Iron group) in Silicon. The band structures were calculated by the tight binding method and for point defects we used the Green?s function method. Besi
Publicado em: 1988
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18. DETERMINATION OF THE INPUT IMPEDANCE OF AN ANTENNA IN AN OPEN RECTANGULAR CAVITY / DETERMINAÇÃO DA IMPEDÂNCIA DE ENTRADA DE UMA ANTENA INTERIOR DE UMA CAVIDADE RETANGULAR ABERTA
This work presents a formulation for determining the input impedance for an antenna located inside fo a rectangular cavity having one side open. The current distribution on the antena and the total power radiater are determined using and apropriate Green¿s function and anatytic procedure from which the impedance is calculated. The problem is approchea and s
Publicado em: 1977