Estados Localizados E Estendidos
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1. A equação de Schrödinger não linear discreta com desordem de Aubry-André e com campo elétrico DC
Nesta dissertação é feito um estudo numérico da evolução temporal das soluções da equação de Schrödinger não linear unidimensional discreta, considerando os efeitos de um potencial aperiódico (ou desordenado) e a influência de um campo elétrico de externo. A análise feita tem como foco principal a caracterizando das soluções como sendo este
Publicado em: 2010
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2. Studies on the electrical and magnetic proprieties of GaMnAs nanostructure for use in spintronics / Estudos de propriedades elétricas e magnéticas em nanoestruturas de GaMnAs de uso em spintrônica
Um estudo da interação entre desordem e polarização de spin no GaMnAs ajuda a compreender a natureza dos estados, estendidos ou localizados, bem como as consequências para as transições observadas sobre as propriedades de transporte e às mudanças na ordem magnética de momentos magnéticos localizados em sítios de Mn. Este estudo pressupõe a ocorr
Publicado em: 2009
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3. Comportamento de escala nas vizinhanças da transição de Anderson de sistemas com desordem correlacionada
A teoria de localização é o formalismo mais importante para o entendimento do movimento de elétrons não interagentes em sistemas desordenados. A teoria de escala prevê em sistemas de baixa dimensionalidade a ausência de uma transição localização-deslocalização para qualquer grau de desordem não correlacionada. Entretanto, no modelo bidimensiona
Publicado em: 2007
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4. Violação da teoria de escala em sistemas unidimensionais com desordem diluída e sistemas com acoplamentos de longo-alcance
Em sistemas eletrônicos tridimensionais com desordem descorrelacionada é possível ocorrer uma transição de metal-isolante, conhecida como transição de Anderson, onde os estados eletrônicos podem ser localizados ou estendidos dependendo do grau de desordem imposto ao sistema. Em sistemas de dimensionalidade baixa d ≤ 2, sem correlações na deso
Publicado em: 2006
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5. Fate of extended states and origin of localized states in quantum Hall regime / Destino dos estados estendidos e origem dos estados localizados no regime de efeito Hall quantico
Esse trabalho é dedicado ao estudo de dois problemas de interesse atual em sistemas quânticos de baixa dimensionalidade. Ambos são relacionados ao processo de localização eletrônica no regime Hall quântico. O primeiro problema diz respeito ao destino dos estados estendidos no limite de baixos campos magnéticos ou forte desordem, onde ocorre a transi�
Publicado em: 2005
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6. TransiÃÃo de Anderson em Sistemas de Baixa Dimensionalidade com Desordem Correlacionada
Os autoestados de um eletron em um sistema com desordem nÃo correlacionada s~ao exponencialmente localizados para qualquer grau de desordem e dimensÃo menor ou igual a $2$. A presenÃa de desordem em outros sistemas fÃsicos tambÃm induz à localizaÃÃo de excitaÃÃes coletivas, tais como mÃgnon e modos vibracionais. Recentemente, uma s erie de vers~oe
Publicado em: 2003
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7. Fotocondutividade dependente da temperatura em filmes finos de germanio amorfo hidrogenado dopado com galio e arsenio
Nesta tese apresentamos um estudo da dependência da fotocondutividade, I P C, com a temperatura, T, em filmes finos de a-Ge:H intrínsecos e dopados tipo p, com gálio e tipo n, com arsênio, crescidas por rf-sputtering no Laboratório de Pesquisas Fotovoltáicas do IFGW/Unicamp. Foram realizados quatro tipos de medidas nas amostras: (i) I P C em função d
Publicado em: 2001
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8. Propriedades Óticas de Estruturas Semicondutoras com Dopagem Planar do Tipo n ou p / Optical properties of semiconductor structures with doping Flat Type n or p
Estruturas semicondutoras com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semicondutoras com dopagem planar tipo n ou p, utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescencência (PL) e fotoluminescência-excitaç�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/1998
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9. Propriedades eletronicas em cristais unidimensionais
Resultados úteis na física do estado sólido, tal como a aproximação da massa efetiva para impurezas em semicondutores, são baseados na invariância translacional que há num cristal perfeito. O estado atual avançado das teorias de tais materiais foi atingido depois de muitos esforços baseados no entendimento físico de modelos simples. No caso de mat
Publicado em: 1981