Espectroscopia Integrada
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13. Processo de degradação e adsorção de compostos orgânicos aromáticos em água residual e efluente da indústria do petróleo
Neste trabalho foi avaliada a degradação de compostos aromáticos em água residual e efluente de refinaria de petróleo, sob tratamento fotoquímico, utilizando luz solar e lâmpada a vapor de mercúrio de alta pressão com intensidade média de 200 W/m2, e processo oxidativo, com peróxido de hidrogênio (60 % em peso). No caso específico do tratamento
Publicado em: 2006
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14. Estudos das excitações de dipolo de níveis de baixa energia para o núcleo de \ ANTPOT. 153 Eu\ / Excitation dipole Studies of low energy levels for the nuclei 153 Eu
O objetivo do presente trabalho foi determinar, através de medidas de Ressonância Fluorescente Nuclear (RFN) para o núcelo deformado de 153Eu, a intensidade integrada de ressonâncias localizadas de dipolo associadas a modos de movimento como o modo tesoura Ml (ressonâncias anãs). Foi utilizado o feixe de elétrons do acelerador Dynamitron da Universida
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 03/12/1999
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15. Ligas amorfas de germanio-carbono e germanio-nitrogenio hidrogenados
Neste trabalho apresentamos o desenvolvimento e o estudo das propriedades optoeletrônicas, estruturais e termomecânicas das ligas amorfas de germânio-carbono e germânio-nitrogênio hidrogenadas preparadas pela técnica de rf-sputtering reativo. As ligas de germânio-carbono (a-Ge1-xCx:H) foram preparadas em todo a faixa de conteúdo de carbono, isto é d
Publicado em: 1998
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16. Fotoemissão no Modelo de Anderson para compostos de terras-raras com valência flutuante. / Photoemission in the Anderson model for rare-earth compounds with valence fluctuating.
Calcula-se o espectro de foto emissão (XPS) no modelo de Anderson com degenerescência de spin. Baseado na técnica do grupo de renormalização, introduzindo originalmente por Wilson para calcular a suscetibilidade magnética do modelo de Kondo, o cálculo numérico tem precisão uniforme sobre todo o espaço paramétrico do modelo de Anderson; para qualqu
Publicado em: 1985
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17. Espalhamento magneto-Raman ressonante em semicondutor polar
Neste trabalho discutimos o espalhamento Raman pelo sistema eletron-fónon LO na presença de um campo magnético constante no qual são os fonons os responsáveis diretos pelo processo. Estudamos um material semicondutor tipo n com pequena massa efetiva para campos tais que a frequência de ciclotron ( wc ) é aproximadamente igual a frequência da radiaç�
Publicado em: 1977