Eletroluminescencia
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13. PRODUCTION AND CHARACTERIZATION OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES (OLEDS) BASED ON (BETA)-DICEKETONE RARE-EARTH COMPLEXES / PRODUÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE DISPOSITIVOS ORGÂNICOS ELETROLUMINESCENTES (OLEDS) BASEADOS EM COMPLEXOS (BETA)-DICETONATOS DE TERRAS-RARAS
Este trabalho apresenta os resultados de um estudo que envolve a fabricação e a caracterização de dispositivos orgânicos emissores de luz (OLEDs) baseados em complexos ¿-dicetonatos de terras-raras. O estudo se coloca como continuação lógica da linha de pesquisa em dispositivos eletroluminescentes baseados em íons terras-raras, começada alguns ano
Publicado em: 2007
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14. Photoluminescent Behaviour of tetrakis(b-diketonates) Complex Anions with Rare Earth Ions - Eu3+, Gd3+, Tb3+ e Tm3+ / Comportamento fotoluminescente dos ânions complexos tetrakis(-dicetonatos) de Íons terras raras - Eu3+ , Gd3+ , Tb3+ e Tm3+
Neste trabalho, os complexos tetrakis(ß-dicetonato) de terras-raras, (Q)[TR(β-dicetonato)4 ] {(Q = Li+ , Na+ , K+ , (Et3 NH)+ , (Morf)+ , (TMPip)+ e (Diciclo)+ ); (TR3+ = Eu3+ , Gd3+ , Tb+ e Tm3+ ) e (β-dicetonato = acac, dbm e tta), foram sintetizados, caracterizados e suas propriedades ópticas investigadas por meio de espectroscopia luminescent
Publicado em: 2007
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15. PRODUÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE DISPOSITIVOS ORGÂNICOS ELETROLUMINESCENTES (OLEDS) BASEADOS EM COMPLEXOS SUPRAMOLECULARES / PRODUCTION AND CHARACTERIZATION OF ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICES (OLEDS) BASED ON SUPRAMOLECULAR COMPLEXES
Neste trabalho são apresentados os resultados da produção e caracterização de novos dispositivos orgânicos eletroluminescentes (OLEDs), que podem ser divididos idealmente em três grupos. O primeiro composto pelos OLEDs que utilizam os distirilbenzenos (DSBs) como camada eletroluminescente. Os DSBs são sistemas utilizados em química supramolecular co
Publicado em: 2006
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16. DISPOSITIVOS ELETROLUMINESCENTES ORGÂNICOS BASEADOS EM COMPLEXOS LANTANÍDEOS / ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES BASED ON LANTHANIDE COMPLEXES
Este trabalho consiste no estudo de dispositivos eletroluminescentes orgânicos (OLEDs) onde as camadas emissoras de luz são oriundas dos complexos lantanídeos. A estrutura dos OLEDs fabricados é constituida a partir de uma heterojunção de três materiais orgânicos, onde o 1-(3- metilfenil)-1,2,3,4 tetrahidroquinolina-6-carboxialdeido- 1,1 -difenilhidr
Publicado em: 2004
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17. Fotofisica de polimeros emissores de luz
Neste trabalho foram estudadas as propriedades fotofísicas do poly[2-metóxi-5-(2 -etilhexilóxi)-1,4-fenilenovinileno] (MEH-PPV), um polímero conjugado que possui foto e eletroluminescência. Os polímeros comerciais de MEH-PPV, de massas molares 51.000, 86.000 e 125.000 g mol, foram caracterizados através de medidas de solubilidade, medidas térmicas (T
Publicado em: 2003
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18. "Propriedades elétricas e ópticas de junções PIN de materiais semicondutores III-V sobre substratos de GaAs orientados na direção [311]A e [211]A"
Neste trabalho foram processados e caracterizados dispositivos emissores de luz (LEDs) baseados em estruturas p-i-n a partir de filmes de GaAs dopados unicamente com Silício e crescidos através da técnica de Epitaxia de Feixes Moleculares sobre substratos de GaAs orientados nas superfícies (311)A e (211)A. Nas superfícies (311)A e (211)A, o Si tem com
Publicado em: 2003
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19. Medidas de luminescencia em semicondutores excitados visando detetar ondas de densidade de carga
No capitulo I descrevem-se as propriedades elementares gerais de ondas de densidade de carga em condições de equilíbrio termodinâmico, dando ênfase à evidência experimental de existência desses fenômenos. Assim, mencionam-se as experiências de torque anômalo em monocristais esféricos de potássio, os satélites em figuras de difração de raios-X
Publicado em: 1985
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20. Fotoluminescencia em GaAs dopado com Sn
Medidas de fotoluminescência foram feitas em amostras de GaAs dopado com Sn (GaAs:Sn). Os resultados apresentaram duas regiões de emissão: excitônica é caracterizada pelas linhas A1 (1.5224 eV); A2 (1.5164eV); A3 (1.4966eV) e A4 (1.4600eV). A região profunda pelas bandas B1 (1.3612eV), B2 (1.3274eV) e B3 (1.2974eV). A linha A1 é interpretada como send
Publicado em: 1985
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21. Estudo da redução da banda proibida devido a cargas livres
Not informed
Publicado em: 1973