Eletrodo De Porta De Metal
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1. Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico. / Study of SOI multiple gate transistors with gate oxide of high dieletric constant and metal gate electrode.
Este trabalho tem como objetivo investigar o comportamento de transistores SOI de porta tripla com óxido de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta de metal. Inicialmente estudou-se a aplicação dos métodos de extração de parâmetros através de curvas da capacitância, previamente desenvolvidos para estruturas SOI planares, em dispositi
Publicado em: 2010
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2. Sensor de imagem para detecção de gases. / Image sensor for detection of gases.
O objetivo do presente trabalho é o desenvolvimento de um dispositivo MOS como sensor de imagem química para a detecção e classificação de gases de hidrogênio e amônia através da técnica de escaneamento de luz pulsada (TELP). O dispositivo MOS foi fabricado sobre substrato de silício (100) e resistividade de 10 -cm. A porta do dispositivo foi cons
Publicado em: 2008
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3. Obtenção de filmes finos de oxidos semicondutores ternarios de banda larga pelo processo de decomposição de precursores metalorganicos
Neste trabalho, o processo de Decomposição de Precursores Metalorgânicos (MOD) foi utilizado na preparação de sólidos policristalinos e filmes finos de óxidos ternários do tipo Cd2SnO4 e Cd2M2O7 (M = Sb e Nb). Esses óxidos são chamados de semicondutores de banda larga e apresentam, simultaneamente, duas propriedades de interesse científico e tecno
Publicado em: 2002