Efeito Joule
Mostrando 13-17 de 17 artigos, teses e dissertações.
-
13. Localização de corrente e efeito Joule em manganitas com ordenamento de carga / Current localization and Joule self-heating effects in manganites with charge ordered
Este trabalho contempla um estudo sistemático das propriedades elétricas de óxidos cerâmicos a base de manganês. Ênfase foi dada a sistemas onde uma correlação forte entre os graus de liberdade de carga, spin e rede com ordenamento orbital resultam em um estado fundamental heterogêneo, devido a uma separação de fases. Com esse objetivo, foram prep
Publicado em: 2005
-
14. Anomalias na velocidade de fusão do eletrodo na soldagem GMAW
A velocidade de fusão do eletrodo na soldagem GMAW com fonte de tensão constante é bem descrita por um modelo parabólico que associa a fusão do arame com o aquecimento por resistência elétrica e do arco. Entretanto, testes realizados com fonte de corrente constante indicam que a velocidade de fusão pode se desviar dos valores preditos por este modelo
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 05/03/2004
-
15. Microscopia fototermica de reflexão aplicada a caracterização de dispositivos microeletronicos
Um importante passo para o desenvolvimento de estruturas microeletrônicas é a avaliação não destrutiva de dispositivos em operação. O conhecimento das perdas térmicas nessas estruturas é de grande importância, uma vez que se elas forem excessivas localmente podem indicar a presença de um defeito ou mesmo servir como fonte de propagação de defeit
Publicado em: 1996
-
16. Efeito miragem aplicada a eletroquimica
Nesta tese nós apresentamos aspectos teóricos e experimentais da técnica Miragem aplicada à eletroquimica. Nós mostramos como o efeito Miragem pode ser utilizado para medidas calorimétricas e refratomélricas nos eletrólilos, discutindo os efeitos térmicos Peltier e Joule e as variações dinâmicas dos perfis de concentração existentes nos eletró
Publicado em: 1991
-
17. Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio
Foi desenvolvido um sistema de crescimento epitaxial de silício que opera com tetracloreto de silício. O sistema foi inteiramente projetado e construído no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos, tendo como objetivos principais a obtenção de camadas epitaxias de silício em substratos de 2,5 polegadas, aquecidos por efeito Joule em um susceptor de g
Publicado em: 1987