Efeito Hbt
Mostrando 1-4 de 4 artigos, teses e dissertações.
-
1. Uma nova luz sobre o conceito de fóton: Para além de imagens esquizofrênicas
Nesse artigo celebraremos o Ano Internacional da Luz contando uma história sobre o conceito de fóton ao longo do Século XX. Pode-se pensar que o conceito de fóton tornou-se bem estabelecido na física logo após da década de 1930. Contudo, destacaremos que desenvolvimentos teóricos e experimentais culminaram, após a década de 1950, na revisão do con
Rev. Bras. Ensino Fís.. Publicado em: 2015-12
-
2. Desenvolvimento de sistemas e medida de ruído de alta e baixa frequência em dispositivos semicondutores / System for high and low frequency noise measurements design and semiconductor devices characterization
Este trabalho teve como objetivo a montagem de um sistema de caracterização de ruído de alta e de baixa freqüência, utilizando equipamentos disponíveis no Centro de Componentes Semicondutores da Unicamp. Foi montado um sistema para a caracterização do ruído de baixa freqüência em dispositivos semicondutores e desenvolveu-se um método para a anál
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 24/02/2010
-
3. Development of devices based on GaAs substrate with passivation by ECR plasma / Desenvolvimento de dispositivos baseados em substrato de GaAs com passivação por plasma ECR
Este trabalho apresenta um método simples de passivação de superfícies semicondutoras III-V de substratos de arseneto de gálio (GaAs) e de heteroestruturas de fosfeto de gálio-índio sobre arseneto de gálio (InGaP/GaAs), que são utilizados em transist res de efeito de campo, MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) e MISFET Metal-Insulato
Publicado em: 2007
-
4. Processo de fabricação de HBT em camadas de InGaP/GaAs
Um trabalho inicial sobre a fabricação de HBT e o estudo de suas estruturas foram realizados no TIT (Tokyo Institute of Technology) no Japão. Neste Instituto foram desenvolvidos os processos de crescimentos de HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP/GaAs por MOMBE (Metalorganic Molecular Beam Epitaxy). A camada da base deste dispositivo foi altamen
Publicado em: 2001