Dispositivos De Pocos Quanticos
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13. Projeto de fotodetectores infravermelhos a poços quânticos utilizando o método de matriz de transferência.
Essa tese apresenta uma metodologia para calcular os níveis confinados de energia e suas respectivas funções de onda em estruturas de poços quânticos usando o método de matriz de transferência (TMM). Este trabalho visa prover ferramentas para a estimação de absorção devido a transições interbanda e intersubbanda em fotodetectores infravermelhos
Publicado em: 2009
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14. Caracterização de fotodetectores de infravermelho a poços quânticos.
Este trabalho apresenta a caracterização eletro-óptica de fotodetectores para o infravermelho operando nas janelas atmosféricas de ondas médias e longas. Utilizou-se sensores QWIP (Quantum Well Infrared Photodetector) baseados em estruturas semicondutoras de poços quânticos múltiplos de GaAs/AlGaAs e InGaAs/AlInAs, utilizando transições intrabanda.
Publicado em: 2009
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15. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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16. Metodologia computacional para o projeto de dispositivos semicondutores nanoestruturados / Computational methodology for the design of nanostructured semiconductor devices
Nanoestruturas semicondutoras como poços, fios e pontos quânticos possuem inúmeras aplicações de interesse tecnológico. Como exemplo pode-se citar sua utilização em lasers, detectores de infravermelho, transistores, spintrônica, na medicina e, prevê-se que, futuramente, sejam essenciais na computação quântica. O domínio dessa tecnologia é visa
Publicado em: 2008
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17. Propriedades de spintrônica do gás de elétrons e dinâmica do íon Mn em nano estruturas semicondutoras magnéticas
Esta tese apresenta um estudo teórico das propriedades de spintrônica do gás de elétrons em nano estruturas semicondutoras magnéticas obtidas a partir de semicondutores magnéticos diluídos (III, Mn)V e (II, Mn)VI da dinâmica do íon Mn na presença de um background de 2DEG (Gás de elétrons bi-dimensional). Primeiramente, realizamos cálculos para a
Publicado em: 2006
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18. Excitons em Sistemas Quânticos 0-2D
A física de sistemas semicondutores de baixa dimensionalidade tem evoluído bastante nas últimas décadas. Em parte, porque essas estruturas oferecem a oportunidade de testarmos vários modelos teóricos, mas também porque existe um grande potencial de aplicação tecnológica derivada das propriedades de tais estruturas e dos materiais que a formam. Como
Publicado em: 2005
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19. Molecular beam epitaxy of p-type doped layers for the construction of optoelectronic devices / Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Durante as últimas três décadas, a epitaxia por feixe molecular se estabeleceu como uma técnica excelente para o crescimento de camadas semicondutoras de alta qualidade, tanto para a construção de dispositivos quanto para a pesquisa básica. No entanto ainda não existe um método universalmente aceito para obter-se camadas dopadas do tipo p nesta téc
Publicado em: 2004
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20. Dispositivos optoeletronicos baseados no crescimento de InGaP em substratos pre-gravados pela tecnica CBE
Apresentamos neste trabalho, um estudo do crescimento de camadas de In0.49Ga0.51P sobre substratos pré-gravados através da técnica de Epitaxia por Feixes Químicos (CBE). Foi realizada uma análise do crescimento dos planos (100) e (111)A em função da temperatura de crescimento e da dimensão das estruturas pré-gravadas. Apresentamos também uma invest
Publicado em: 2001
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21. SELECTIVE AREA EPITAXIAL GROWTH OF III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS / CRESCIMENTO EPITAXIAL SELETIVO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS III-V VISANDO A INTEGRAÇÃO OPTOELETRÔNICA
A integração monolítica de um modulador com um guia de onda é de muito interesse para aplicação em comunicações ópticas pelo fato de que podemos diminuir as perdas por acoplamento óptico entre os dois dispositivos e usar moduladores curtos que operem em altas taxas de transmissão de dados. O crescimento epitaxial seletivo é uma das técnicas mais
Publicado em: 2000
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22. Relaxação de portadores via interação eletron-fonon em pontos e poços quanticos
A interação entre elétrons e fônons é um importante ingrediente para qualquer discussão realista das propriedades ópticas em sistemas de dimensão reduzida. É também relevante para determinar a dinâmica de portadores em dispositivos semicondutores e para o estudo das transições radiativas em dispositivos fotônicos. Adicionalmente, existe muito i
Publicado em: 1999
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23. Propriedades Óticas de Estruturas Semicondutoras com Dopagem Planar do Tipo n ou p / Optical properties of semiconductor structures with doping Flat Type n or p
Estruturas semicondutoras com dopagem planar são sistemas de considerável interesse tanto para a a pesquisa básica como para a aplicação em dispositivos. Neste trabalho caracterizamos estruturas semicondutoras com dopagem planar tipo n ou p, utilizando técnicas de espectroscopia ótica tais como fotoluminescencência (PL) e fotoluminescência-excitaç�
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 29/04/1998
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24. Ressonâncias Stark e tunelamento em heteroestruturas semicondutoras. / Stark resonances and quantum tunnel effect in semiconductor heterostructures.
Neste trabalho determinamos a estrutura dos níveis dos estados quase-ligados e virtuais em sistemas de poços quânticos acoplados de AlGaAs-GaAs na presença de um campo elétrico externo (Voltagem) perpendicular às camadas semicondutoras. As heteroestruturas de AlGaAs-GaAs são modeladas por um conjunto de poços quânticos de potencial unidimensionais.
Publicado em: 1987