Diodos De Tunelamento
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1. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho investigamos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante p-i-p de GaAs/AlAs na presença de campo magnético paralelo à corrente túnel. Para isso, realizamos um estudo sistemático das curvas características de corrente-voltagem I(V) e da fotoluminescência (PL) resolvida em polarização das camadas do contato e do poço-quântico
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/03/2012
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2. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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3. Magneto luminescência em diodos de tunelamento ressonante contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied the spin polarization of carriers in n-type resonant tunneling diodes (RTDs) of GaAs/AlGaAs which incorporates a single layer of InAs selfassembled quantum dots in the center of the GaAs quantum well (QW) grown on (3 1 1)B oriented GaAs substrates.We have performed electrical and optical measurements in the presence and absence
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 15/03/2011
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4. Propriedades magneto-óticas e de magneto-transporte de um diodo de tunelamento ressonante contendo Si δ - doping no poço quântico
In this work, we have studied the transport and optical properties of GaAs = AlGaAs resonant tunneling diodes with Si delta-doping at the center of the quantum well. We have studied magneto-transport and polarized resolved photoluminescence from GaAs quantum well and contact layers as a function of applied voltage and magnetic _eld parallel to the tunnel cur
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/03/2011
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5. Manipulação de spin em diodos de tunelamento ressonante não-magnéticos tipo-n
Este trabalho teve como objetivo o estudo dos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante (RTD) assimétricos do tipo n não magnéticos. Utilizamos técnicas de medidas de transporte e magneto-fotoluminescencia resolvida em polarização. O grau de polarização ótica das regiões do QW e das camadas do contato foi estudado em função da voltagem
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/04/2010
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6. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy
Publicado em: 2010
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7. Estudos das propriedades elétricas de diodos poliméricos com eletrodo injetor à base de óxido de zinco / Studies of Electrical Properties of polymeric diodes with injector eletrode based on zinc oxide.
A presente tese de doutorado apresenta um estudo comparativo das características elétricas de dispositivos emissores de luz poliméricos (PLEDs) confeccionados com óxido de índio dopado com zinco (IZO) como eletrodo transparente alternativamente ao ITO comumente usado em dispositivos poliméricos. As propriedades elétricas de filmes de IZO depositados a
Publicado em: 2009
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8. Estudo da dinâmica de portadores em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho, realizamos um estudo de fotoluminescência resolvida no tempo em diodos de tunelamento ressonante do tipo p. Em particular, estudamos estruturas p-i-p de GaAs/AlAs com barreiras de largura simétrica e assimétrica. Desta forma, os efeitos observados são predominantemente referentes a dinâmica de tunelamento de elétrons fotocriados na estr
Publicado em: 2007
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9. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante não-magnéticos tipo-n
Neste trabalho, estudamos os efeitos de polarização de spin em diodos de tunelamento resssonante (RTDs) assimétricos tipo n. Quando sujeitos a um campo magnético externo paralelo a corrente de tunelamento, o efeito Zeeman leva a um spin-splitting dos níveis confinados na estrutura. A injeção de portadores dependentes de spin em diodos assimétricos fo
Publicado em: 2007
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10. InjeÃÃo e transporte de portadores em dispositivos optoeletrÃnicos orgÃnicos e inorgÃnicos / Injection and transport of charge carriers in organic and inorganic optoelectronic devices
Os semicondutores orgÃnicos surgem como alternativa promissora aos materiais inorgÃnicos na tecnologia de fabricaÃÃo de monitores de vÃdeo, viabilizando aplicaÃÃes inovadoras. Vantagens tais como leveza, flexibilidade mecÃnica, variedade de cores e fÃcil processabilidade para produÃÃo em larga escala fizeram com que as telas orgÃnicas conquistass
Publicado em: 2005
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11. Analise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
Neste trabalho discutimos a influência da formação de um gás bidimensional na interface emissor-barreira sobre a densidade de corrente de um diodo de tunelamento ressonante de dupla barreira de GaAs-A1GaAs. A formação desse gás bidimensional em função da voltagem aplicada ocorre em dispositivos onde camadas de GaAs não dopadas são crescidas entre
Publicado em: 1995
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12. Estudo dos efeitos do confinamento quantico em particulas nanoscopicas de silicio
Neste trabalho propomos o crescimento e a caracterização de nanocristais de silício visando o estudo do efeito do confinamento quântico nas propriedades óticas e elétricas destes materiais. Baseados em resultados preliminares que mostraram evidências de confinamento quântico em diodos de tunelamento ressonante de silício, desenvolvemos um novo tipo
Publicado em: 1995