Diodos De Barreira De
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1. Sistema de visão por infravermelho próximo para monitoramento de processos de soldagem a arco
A visão, o sentido predileto do ser humano, e sua grande capacidade de captar, processar e interpretar grandes quantidades de dados de natureza visual tem sido, ao longo dos anos, um grande estímulo para o desenvolvimento de técnicas e de dispositivos tecnológicos que a reproduzam num sistema computacional. Nos processos de soldagem, a visão pode fornec
Soldag. insp.. Publicado em: 2013-03
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2. Efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante tipo-p
Neste trabalho investigamos efeitos de spin em diodos de tunelamento ressonante p-i-p de GaAs/AlAs na presença de campo magnético paralelo à corrente túnel. Para isso, realizamos um estudo sistemático das curvas características de corrente-voltagem I(V) e da fotoluminescência (PL) resolvida em polarização das camadas do contato e do poço-quântico
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 27/03/2012
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3. Propriedades óticas e de transporte em heteroestruturas semicondutoras contendo GaMnAs
Neste trabalho, realizamos um estudo sistemático em poços quânticos de Ga1- xMnxAs/GaAs/AlAs (QWs) com baixa concentração de manganês (x <0,1%) crescidos por epitaxia de feixe molecular em altas temperaturas de crescimento do substrato 400 e 450C. Estudamos as medidas de fotoluminescência resolvida no tempo e fotoluminescência resolvida em polarizaç
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 14/10/2011
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4. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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5. Sistema de visão por infravermelho próximo para monitoramento de processos de soldagem a arco / Near-Infrared Vision System for Arc-Welding Monitoring
A visão, o sentido predileto do ser humano, e sua grande capacidade de captar, processar e interpretar grandes quantidades de dados de natureza visual tem sido, ao longo dos anos, um grande estímulo para o desenvolvimento de técnicas e de dispositivos tecnológicos que a reproduzam um sistema computacional. Nos processos de soldagem, a visão pode fornece
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/04/2011
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6. Propriedades ópticas de blendas e bicamadas de polímeros semicondutores e aplicações em dispositivos emissores de luz
Neste trabalho estudamos propriedades ópticas e morfológicas de um conjunto de blendas binárias de poli[2-(2 ,5-bis(2 -etil-hexiloxi)fenil)-1, 4-fenileno-vinileno] (BEHP-PPV) e poli(3-hexiltiofeno) (P3HT), com diferentes concentrações de P3HT. A caracterização óptica das blendas foi feita através das técnicas de fotoluminescência e absorção, amb
Publicado em: 2008
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7. Preparação e caracterização de filmes finos de cobalto em silício tipo p
Neste trabalho serão discutidos os processos experimentais empregados para a sistematização da preparação e caracterização de diodos de barreira Schottky. O diodo Schottky possui ampla aplicação em dispositivos e aparelhos eletrônicos, sendo peça fundamental na indústria da microeletrônica. O diodo a ser descrito é constituído de uma camada de
Publicado em: 2007
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8. Filtros de spin não-magneticos controlados por voltagem / Voltage controlled non-magnetic spin filters
The aim of this work was to study the transport properties of nonmagnetic semiconductor heterostructures: double barrier diodes ? DBD. Our attention was focused on the carrier spin polarization through the structure. First we present the phenomenology behind the carrier transport and how the DBD can act as a spin filter. In the sequence, we present the exper
Publicado em: 2006
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9. "Factors affecting the energy resolution in alpha particle spectrometry with silicon diodes" / "Fatores que influenciam a resolução em energia na espectrometria de partículas alfa com diodos de Si"
Neste trabalho são apresentados os estudos das condições de resposta de um diodo de Si, com estrutura de múltiplos anéis de guarda, na detecção e espectrometria de partículas alfa. Este diodo foi fabricado por meio do processo de implantação iônica (Al/p+/n/n+/Al) em um substrato de Si do tipo n com resistividade de 3 kohmcm, 300 mícrons de esp
Publicado em: 2005
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10. Estudo de processo de fabricação de diodo Schottky de potencia
This work is a study of fabrication process for power Schottky diode. Aluminum and Tungsten were used as metal Schottky contact. The types of fabricated Schottky diodes were: Convencional Schottky diode, with metal overlap, with p-n guard ring and with pn junction grid. Parameters from IxV and transient curves were extracted to verify the static and dinamic
Publicado em: 2003
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11. Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet
Tungsten Nitride (WN) and Aluminum Nitride (AlN) thin films were deposited by DC sputtering in Nitrogen ambi~nt and characterized in this work. Gallium Arsenide Schottky diodes were used in the characterization of WN films. The diodes were subject to thermal treatments to study the thermal stability of the contacts, as in the fabrication process of MESFET tr
Publicado em: 2000
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12. Analise da dimensionalidade do emissor de um diodo de tunelamento ressonante
Neste trabalho discutimos a influência da formação de um gás bidimensional na interface emissor-barreira sobre a densidade de corrente de um diodo de tunelamento ressonante de dupla barreira de GaAs-A1GaAs. A formação desse gás bidimensional em função da voltagem aplicada ocorre em dispositivos onde camadas de GaAs não dopadas são crescidas entre
Publicado em: 1995