Delta Doping
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1. Propriedades magneto-óticas e de magneto-transporte de um diodo de tunelamento ressonante contendo Si δ - doping no poço quântico
In this work, we have studied the transport and optical properties of GaAs = AlGaAs resonant tunneling diodes with Si delta-doping at the center of the quantum well. We have studied magneto-transport and polarized resolved photoluminescence from GaAs quantum well and contact layers as a function of applied voltage and magnetic _eld parallel to the tunnel cur
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 11/03/2011
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2. Studies on the electrical and magnetic proprieties of GaMnAs nanostructure for use in spintronics / Estudos de propriedades elétricas e magnéticas em nanoestruturas de GaMnAs de uso em spintrônica
Um estudo da interação entre desordem e polarização de spin no GaMnAs ajuda a compreender a natureza dos estados, estendidos ou localizados, bem como as consequências para as transições observadas sobre as propriedades de transporte e às mudanças na ordem magnética de momentos magnéticos localizados em sítios de Mn. Este estudo pressupõe a ocorr
Publicado em: 2009
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3. Terapia gênica, doping genético e esporte: fundamentação e implicações para o futuro
A busca pelo desempenho ótimo tem sido uma constante no esporte de alto rendimento. Para tanto, muitos atletas acabam utilizando drogas e métodos ilícitos, os quais podem ter importantes efeitos adversos. A terapia gênica é uma modalidade terapêutica bastante recente na medicina, cujos resultados têm, até o momento, indicado sua eficácia no tratamen
Revista Brasileira de Medicina do Esporte. Publicado em: 2007-10
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4. Electronic states in n-type GaAs delta-doped quantum wells under hydrostatic pressure
The calculation of the electronic energy levels of n-type delta-doped quantum wells in a GaAs matrix is presented. The effects of hydrostatic pressure on the band structure are taken into account specially when the host material becomes an indirect gap one. The results suggest that under the applied pressure regime the GaAs can support two-dimensional conduc
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2006-09
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5. nipi delta-doping superlattices for amplitude modulation
GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures containing an nipi delta-doping superlattice, where the n-type doping is inserted in the quantum wells and the p-type in the barriers, have been studied in detail to evaluate their potential for use in the fabrication of amplitude modulators. It is shown that C is an adequate p-type dopant for such structures, how
Brazilian Journal of Physics. Publicado em: 2002-06
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6. STUDY OF MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURES WITH NIPI DOPING FOR ELECTRO ABSORPTION MODULATION / ESTUDO DE ESTRUTURAS DE POÇOS QUÂNTICOS MÚLTIPLOS COM DOPAGEM NIPI PARA MODULAÇÃO POR ELETRO-ABSORÇÃO
In this thesis we have studied multiple quantum well structures with Si delta doping inside the GaAs quantum wells and C delta doping in the AlGaAs barriers (nipi). This structure was proposed by W. Batty and D. W. E. Allsopp ( ¤ )as an alternativeto maximize the Stark shift and improve the performance of electroabsorption amplitude modulators.The samples w
Publicado em: 2001
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7. Teoria do Confinamento de Buracos em Heteroestruturas Semicondutoras do Tipo Delta-doping / Hole confinement theory of delta-doping semiconductor heterostructures
Poços e super-redes delta-doping tipo são sistemas semicondutores de interesse considerável tanto para a pesquisa básica como para aplicações em dispositivos. Neste trabalho desenvolvemos um novo método para o cálculo de potenciais e estruturas de bandas deste tipo de sistemas. O método baseia-se na expansão em ondas planas da equação da massa ef
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 10/09/1997
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8. Propriedades eletrônicas de um poço duplo assimétrico com dopagem delta. / Electronic properties of a double asymmetric quantum well with delta doping.
Calculamos a estrutura eletrônica do sistema formado por dois poços quânticos assimétricos (Al0.3Ga0.7As/GaAs) com dopagem delta (Si) no centro de cada poço. Resolvemos a equação de Schrödinger usando a teoria do funcional densidade na aproximação de densidade local. Obtemos o potencial efetivo, os níveis de energia, a ocupação das sub-bandas e
Publicado em: 1994
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9. Espectroscopia de tunelamento quantico
Neste trabalho implementamos experimentos para a medida da corrente de tunelamento em amostras de Dupla Barreira de GaAs/AlxGa1-xAs e de GaAs com dopagem planar de Si (d -doping). Para isto preparamos dois sistemas experimentais: a) "Circuito Ponte de Wheatstone" e b) sistema "Fonte de Corrente e Voltímetro". O primeiro sistema, "Circuito Ponte de Wheatston
Publicado em: 1994
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10. Propriedades opticas de camadas epitaxiais de semicondutores III-V com gas bi-dimensional de eletrons
In this work we present a detailed study of photoreflectance measurements on silicon d-doped GaAs samples. These samples were grown by molecular-beam epitaxy technique. With different silicon concentration and cap layer thickness. The features, observed in the photoreflectance spectra above the GaAs fundamental energy gap, are attributed to transitions invol
Publicado em: 1990