Cdte Al
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1. Análise comparativa das propriedades de óxidos transparentes condutores para aplicação em células solares de filmes finos de CdTe
RESUMO Este trabalho compara as propriedades de diversos óxidos transparentes condutores para serem utilizados como contatos frontais de células solares de filmes finos de CdTe. Os filmes foram depositados à temperatura ambiente, por pulverização catódica com rádio frequência, sem tratamento térmico posterior, com o objetivo de reduzir o número de
Matéria (Rio J.). Publicado em: 11/05/2017
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2. Crystallization of II-VI semiconductor compounds forming long microcrystalline linear assemblies
In this work we report the formation of long microcrystalline linear self-assemblies observed during the thin film growth of several II-VI compounds. Polycrystalline CdTe, CdS, CdCO3, and nanocrystalline CdTe:Al thin films were prepared on glass substrates by different deposition techniques. In order to observe these crystalline formations in the polycrystal
Mat. Res.. Publicado em: 01/02/2013
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3. Construção e caracterização de célula solar tipo barreira Schottky CdTe/Al / Construction and caracterization of Schottky barrier solar cells CdTe/Al
In this work the techniques of hot wall epitaxy (HWE) and molecular beam epitaxy (MBE) on thin films of CdTe (cadmium telluride) were used in order to manufacture a prototype solar cell type Schottky barrier. The films were produced by evaporation of a solid alloy of CdTe, varying two parameters of deposition: the growth time and substrate temperature. In th
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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4. Caracterização de filmes finos de CdTe por meio de teoria de escala anômala / Characterization of CdTe thin films using anomalous scaling theory
Filmes de telureto de cádmio crescidos sobre substratos de vidro recobertos com oxido de estanho dopado com flúor (TCO) foram estudados usando a teoria de escala dinâmica proposta por Lopez et al. [Phys. Rev. Lett. 84, 2199 (2000)]. As amostras foram crescidas por Ferreira et al. [Appl. Phys. Lett. 88, 244102 (2006)] usando a técnica de epitaxia por pare
Publicado em: 2010
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5. Correntes de despolarização termicamente estimuladas, ressonância paramagnética eletrônica e absorção óptica aplicadas no estudo de defeitos dipolares em MgAl2O4 / Depolarization currents
Neste trabalho foram utilizadas as técnicas de Ressonância Para-magnética Eletrônica (RPE), Absorção Óptica (AO) e Correntes de despolarização Termicamente Estimuladas (CDTE) no estudo de defeitos de origem dipolar no óxido de alumínio e magnésio MgAl2O4. O espectro de CDTE das amostras denominadas R apresentaram 3 picos, dois deles centrados em
Publicado em: 2008
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6. Filmes finos de iodeto de chumbo como detector de raios-X para imagens médicas / Lead Iodide Thin Films as X-ray detectors for Medical Imaging
In the last few years, great interest has been focused to high atomic number and wide band gap semiconductor materials for applications in room temperature ionizing radiation detection using the direct detection method. Some materials such as PbI2, HgI2, TlBr, CdTe and CdZnTe are good photoconductors and can be used at room temperature. As a good candidate,
Publicado em: 2007
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7. Estudo das propriedades ópticas e estruturais de nanocristais de MnTe em vidros óxidos
Nanoestruturas baseadas em Semicondutores Magnéticos Diluídos (DMS), também denominado semicondutor semimagnético, tem despertado o interesse da comunidade científica devido as suas singulares propriedades magneto-ópticas e de transporte. Recentemente, foi estudada possibilidade de manipulação de um único spin em nanocristais DMS, tornando-os um pro
Publicado em: 2006
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8. Magnetotransport and Hall ferromagnetism in magnetic semiconductor heterostructures / Magneto-transporte e ferromagnetismo Hall em heteroestruturas semicondutoras magnéticas
Digital magnetic heterostructures (DMHs) are semiconductor structures with magnetic impurities (Mn) restricted to some planar arrangements (monolayers) regularly spaced. In the presence of an external magnetic field, the sp-d exchange interaction between the localized magnetic moments and the itinerant carriers is responsible for a giant spin splitting, of t
Publicado em: 2004
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9. Propriedades eletrônicas de hetero-estruturas de semicondutores zincblende. / Electronic properties of zincbled semiconductor heterostructures.
Utilizou-se um Hamiltoniano KP (6x6) do tipo Kane para, se estudar a estrutura de bandas e níveis de Landau para heteroestruturas de semicondutores zincblende dos grupos III-V e II-VI. Os efeitos do acoplamento entre as bandas de condução e valência, da mistura dos estados da banda de valência, da não-parabolicidade dos níveis, da total degenerescênc
Publicado em: 1987