Barreira Schottky
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1. Varistores à base de WO3 - revisão
Varistores são elementos que fazem parte do sistema de transmissão e distribuição de energia elétrica ou de instalações elétricas especiais. Estes dispositivos são amplamente produzidos variando a escala, dependendo de sua aplicação, como dispositivos de baixa voltagem, com poucos grãos, exibindo ruptura de alguns volts, a vários kilovolts como
Matéria (Rio J.). Publicado em: 2016-03
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2. Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS / Process development of gate electrodes (TiN and TaN) for MOS devices
Tantalum nitride (TaN) and titanium nitride (TiN) films have been obtained by DC sputtering, using different nitrogen flow (10 - 80 sccm) and power (500 - 1500 W), in a nitrogen (N2)/argon (Ar) ambient on Si (100) substrates. The N2/Ar ratio in gas mixture and power effects on structural and electrical properties of TaN and TiN films were investigated by sca
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 01/07/2011
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3. Construção e caracterização de célula solar tipo barreira Schottky CdTe/Al / Construction and caracterization of Schottky barrier solar cells CdTe/Al
In this work the techniques of hot wall epitaxy (HWE) and molecular beam epitaxy (MBE) on thin films of CdTe (cadmium telluride) were used in order to manufacture a prototype solar cell type Schottky barrier. The films were produced by evaporation of a solid alloy of CdTe, varying two parameters of deposition: the growth time and substrate temperature. In th
IBICT - Instituto Brasileiro de Informação em Ciência e Tecnologia. Publicado em: 30/05/2011
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4. Preparação e caracterização de filmes finos de cobalto em silício tipo p
Neste trabalho serão discutidos os processos experimentais empregados para a sistematização da preparação e caracterização de diodos de barreira Schottky. O diodo Schottky possui ampla aplicação em dispositivos e aparelhos eletrônicos, sendo peça fundamental na indústria da microeletrônica. O diodo a ser descrito é constituído de uma camada de
Publicado em: 2007
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5. Estudo de processo de fabricação de diodo Schottky de potencia
This work is a study of fabrication process for power Schottky diode. Aluminum and Tungsten were used as metal Schottky contact. The types of fabricated Schottky diodes were: Convencional Schottky diode, with metal overlap, with p-n guard ring and with pn junction grid. Parameters from IxV and transient curves were extracted to verify the static and dinamic
Publicado em: 2003
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6. Cerâmicas eletrônicas à base de SnO2 e TiO2
Este trabalho mostra o avanço de pesquisas realizadas em cerâmicas eletrônicas à base de SnO2 e TiO2. A adição de diferentes dopantes, bem como a realização de tratamentos térmicos em atmosfera oxidante e redutora, influenciam na densificação, tamanho médio de grãos e nas propriedades elétricas da cerâmica varistora à base de SnO2. Resultados
Cerâmica. Publicado em: 2001-09
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7. Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet
Tungsten Nitride (WN) and Aluminum Nitride (AlN) thin films were deposited by DC sputtering in Nitrogen ambi~nt and characterized in this work. Gallium Arsenide Schottky diodes were used in the characterization of WN films. The diodes were subject to thermal treatments to study the thermal stability of the contacts, as in the fabrication process of MESFET tr
Publicado em: 2000
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8. Filmes finos amorfos e policristalinos para aplicações fotovoltaicas
Estudam-se filmes finos semicondutores de óxido de estanho, silício amorfo hidrogenado e nitretos de silício amorfo hidrogenado, para aplicações fotovoltaicas. O óxido de estanho preparado pelo método de spray químico a temperaturas baixas (275 ºC) conserva boa transparência e alta condutividade (devida principalmente à incorporação de cloro) qu
Publicado em: 1985
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9. Fabricação e estudo de celula solar de Barreira Schottky
Não informado.
Publicado em: 1978