The influence of capture centers on the dielectric relaxation of Ki:M ++. / Influência de centros de captura na relaxação dielétrica de cristais de Ki:M++.

AUTOR(ES)

Sergio Carlos Zilio

DATA DE PUBLICAÇÃO

1976

RESUMO

Encontrou-se que a relaxação dielétrica dos dipolos impureza-vacância em KI dopado com pequenas quantidades de KCl é extremamente diferente da relaxação dielétrica na matriz KI não contendo íons Cl‾.Os novos picos de relaxação, atribuídos à presença do Cl‾ na vizinhança imediata do íon divalente, tem um tempo de relaxação 103 vezes menor que o normal na temperatura ambiente.Foi proposto um modelo para o aprisionamento dos íons divalentes pelo Cl‾ e estudado a influência dos raios atômicos do divalente e do anion estranho neste processo de aprisionamento.

ASSUNTO(S)

alkalihalides halogenetos alcalinos defects dielectric relaxation defeitos corrente termo-estimulada relaxação dielétrica thermo-stimulated current

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