Sondagem direta de titanato de bário semicondutorpor meio de microscopia de força eletrostática
AUTOR(ES)
Gheno, S. M., Hasegawa, H. L., Paulin Filho, P. I.
FONTE
Cerâmica
DATA DE PUBLICAÇÃO
2007-06
RESUMO
A microscopia de força eletrostática (EFM) foi usada para sondagem direta do potencial na superfície do titanato de bário dopado, o qual é cerâmica semicondutora. As medidas de EFM foram realizadas no modo não contato, mantendo a distância ponta-amostra de 75 nm constante, mas variando a voltagem bias aplicada à amostra de zero a 10 V. A distribuição do potencial na amostra mostrou mudanças em regiões próximas ao contorno de grão, exibindo largura de barreira constante de 145,2 nm.
ASSUNTO(S)
microscopia de força eletrostática potencial elétrico barreiras titanato de bário
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