Ruído RTS em osciladores em anel

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2010

RESUMO

Nesse trabalho foram estudados os efeitos da captura e emissão de portadores em armadilhas (traps) situadas na interface do silício com o dióxido de silício, chamado RTS (Random Telegraph Signal). Será apresentado um breve estudo teórico da física que envolve a captura emissão de portadores e do impacto das traps na corrente de dreno DS I . Após, a teoria demonstrada será utilizada na análise e simulação de osciladores em anel single-ended. Por fim, conclusões a respeito do ruído causado pelo efeito RTS, nos transistores do circuito oscilador, serão feitas.

ASSUNTO(S)

random telegraph signal engenharia elétrica interface traps variability reliability noise ring oscillator and mosfets

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