Reação-difusão com difusividade variável para oxidação de silício

AUTOR(ES)

Portella Filho, Luiz Ferreira

DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

Neste trabalho, propomos uma modificação do modelo de reação-difusão (R. M. C. de Almeida et al., Physics Review B, 61, 19 (2000)) incluindo difusividade variável com o objetivo principal de predizer, ou no mínimo descrever melhor, o crescimento de oxido de Si no regime de filmes nos. Estudamos o modelo reação-difusão a coeficiente de difusão, D, fixo e D variável. Estudamos extensivamente o modelo reação-difusão com D fixo caracterizando seu comportamento geral, e resolvendo numericamente o modelo com D variável para um intervalo amplo de relações DSiO2=DSi. Ambos casos apresentam comportamento assintótico parabólico das cinéticas. Obtivemos as equações analíticas que regem o regime assintótico de tais casos. Ambos os modelos apresentam interface não abrupta. Comparações das cinéticas com o modelo linear-parabólico e com dados experimentais foram feitas, e também para as espessuras da interface. Contudo nenhum dos dois modelos de reação-difusãao, com D fixo e com D varáavel, podem explicar a região de filmes nos, que possui taxa de crescimento superior a taxa de crescimento da região assintótica. Porém, ao incluir taxa de reação variável dentro do modelo de reação-difusão com D variável, este aponta para uma solução do regime de filmes nos.

ASSUNTO(S)

sistemas de reação por difusão silicio oxidacao difusao cinética filmes finos

Documentos Relacionados

• Modelos de reação-difusão para morfogênese
• Redes de mapas acoplados em sistemas biológicos de reação-difusão
• Solução de um problema não linear do tipo reação-difusão na modelagem dispersão de insetos
• Atratores para equações de reação-difusão em domínios arbitrários
• Movimento de interface para duas equações de reação-difusão.