Raman and infrared spectroscopy studies of carbon nitride films prepared on Si (100) substrates by ion beam assisted deposition

AUTOR(ES)

Sucasaire, Wilmer, Matsuoka, Masao, Lopes, Karina C., Mittani, Juan C. R., Avanci, Luis H., Chubaci, Jose F. D., Added, Nemitala, Trava, Vladimir, Corat, Evaldo J.

FONTE

Journal of the Brazilian Chemical Society

DATA DE PUBLICAÇÃO

2006-10

RESUMO

Filmes de nitreto de carbono, preparados por deposição assistida por feixe de íons, foram estudados pela espectroscopia de Raman e infravermelho, em função de energia de íons (200, 400, e 600 eV) e razão de chegada de íon a átomo R(I/A) de 0,9 a 2,5. A razão de composição N/C no filme, determinada por análise de detecção de recuo elástico, foi encontrada proporcional a R(I/A); porém, a formação de filme é possível somente se R(I/A) for menor do que um valor crítico da eficiência de "sputtering" químico. Esse valor encontrado foi de 0,21. O valor máximo de N/C obtido foi de 0,9 (47% atômica de nitrogênio) para o filme depositado com 400 eV. Para entender o efeito de incorporação de nitrogênio na estrutura dos filmes, os parâmetros foram determinados pela análise dos espectros Raman e encontrados fortes dependências da quantidade de nitrogênio nos filmes; os comportamentos da posição e da largura do pico G, e da razão I D/I G são correlacionados com as mudanças estruturais nos filmes.

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