Propriedades vibracionais de semicondutores amorfos
AUTOR(ES)
Peter Alexander Bleinroth Schulz
DATA DE PUBLICAÇÃO
1985
RESUMO
We introduce a model for the lattice dynamics of a-Si1-xNx. This model is based on a Born Hamiltonian, solved in the Bethe lattice approximation. Starting from the local density of vibrational states, we analyze the infrared absorption spectra of this material
ASSUNTO(S)
ACESSO AO ARTIGO
http://libdigi.unicamp.br/document/?code=vtls000048465Documentos Relacionados
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