Processos nos sub-micrometricos para integração tipo VLSI

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

1990

RESUMO

Neste trabalho apresentamos ema revisão sobre dois temas fundamentais para a fabricação de circuitos integrados com níveis de iteração VLSI/ULSI: -escalamento e limitações de dispositivo MOS -interconexões e contatos em circuitos integrados. Analizamos vários aspectos relacionados tanto ao dispositivo ativo como à interligação dos mesmos. A constante miniaturização das dimensões, necessária para o crescente nível integração, tem efeitos diretas sobre as dispositivos ativos e suas interligações. Campos elétricos mais intensos são impostos ao dispositivo e efeito secundário tornam-se importantes. Também, efeitos parasitários tornam-se cada vez mais importantes. Esses efeitos requerem novas soluções como por exemplo o uso de novos materiais, novos padrões de polarização, ajute especiais de junções fontes/dreno e de uso multi-níveis de interconexões. Apresentamos também um trabalho experimental de projeto, fabricação e caracterização de transistores nMOS de comprimento de canal sub-micrométricos. Realizamos o projeto com o auxílio de programas simuladores de processos de dispositivos, considerando ajustes de tensão de limiar, supressão de perfuração MOS (punchthrough), efeito de canal curto e corrente de fuga (transistores ativos e passivos). Os dispositivos foram processados empregando a técnicaLOCOS, , porta de Si-poli, espessura de óxido de porta de 22 nm e profundidade de junção de 0,2µm. Os dispositivos e o processo foram caracterizados por meio de uma extensa lista de medidas elétricas. Transistores com comprimento de canal efetivo de até 0,5µm apresentaram um bom desempenho sem perfuração MOS. Uma análise detalhada sobre o desempenho é apresentada

ASSUNTO(S)

microeletronica circuitos integrados

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