O metodo semi-empirico "Tight Binding" aplicado ao calculo da estrutura de bandas, densidade de estados, vacancia ideal e função dieletrica em semicondutores

AUTOR(ES)

Denise Fernandes de Mello

DATA DE PUBLICAÇÃO

1988

RESUMO

Usando o método semi-empírico "Tight Binding", aproximação de primeiros vizinhos e uma base sp3s*, onde s* é um pseudo estado excitado, o qual substitui os estados excitados de outras interações (modelo de Vogi), recalculamos a estrutura de bandas de 16 semicondutores com estrutura zincblenda e aplicamos o método para CdTe. A partir da estrutura de bandas, calculamos então, vacâncias ideais nesses mesmos semicondutores, assim como a parte imaginária da função dielétrica. Calculamos também as bandas de valência do composto iônico NaCl. Os resultados mostraram-se em boa concordância com resultados experimentais e teóricos obtidos por outros métodos, o que é altamente satisfatório, visto que com os demais modelos "Tight Binding" não era possível obter resultados realísticos para a maioria das propriedades

ASSUNTO(S)

cristais - propriedades fisicas dieletricos teoria de faixa de energia de magnetismo semicondutores

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