Numerical simulation of liquid phase on silicon growth by Czochralski method / Simulação numérica da fase líquida do crescimento de silício pelo método Czocharalski.
AUTOR(ES)
Luis Vicente de Andrade Scalvi
DATA DE PUBLICAÇÃO
1986
RESUMO
Visando compreender os fluxos na fase líquida do crescimento de silício pelo método Czochralski, é feita a Simulação Numérica do silício fundido, resolvendo-se as equações que governam o fenômeno da convecção forçada no fluido: Balanço de Quantidade de Movimento e Balanço de Massa. A técnica numérica escolhida é a de Elementos Finitos, onde é utilizada a formulação de Galerkin, com aproximações quadráticas nas componentes da velocidade e linear na pressão. A partir de várias combinações de rotações cadinho-cristal, os perfis de velocidade obtidos são analisados com relação aos efeitos de incorporação de impurezas e/ou dopantes no cristal em crescimento.
ASSUNTO(S)
numerical simulation czochralski finite element silício czochralski liquid phase fase líquida elementos finitos silicon simulação numérica
Documentos Relacionados
- Numerical simulation of pollutants dispersion by a finite element method based on control volumes
- "Eletronic Structure of Silicon by the Variational Cellular Method"
- Simulação numérica do comportamento pós-fissuração de vigas de concreto armado pelo método dos elementos finitos
- NUMERICAL SIMULATION OF TWO-PHASE FLOW WITH INTERFACES
- Numerical simulation of flows: an implementation with the Petrov-Galerkin method.