Modelagem e simulação de pontos quânticos acoplados

AUTOR(ES)
DATA DE PUBLICAÇÃO

2007

RESUMO

Esta Tese de Doutorado fundamenta-se na construção de um modelo comportamental para dispositivos mono-elétron, e de sua implementação na forma de um algoritmo numérico, para a simulação da evolução no tempo da dinâmica de transporte de portadores, considerados individualmente. Está focada principalmente no que se refere ao comportamento da dinâmica dos processos de tunelamento dissipativos em células de pontos quânticos acoplados. O modelo apresentado aqui sustenta-se em princípios físicos fundamentais, como a conservação de carga e de energia. O decaimento a partir de estados metaestáveis, e a partir de situações de desequilíbrio (superposição de estados) é uma conseqüência natural dos processos dissipativos incluídos no modelo. Neste trabalho é demonstrada a bi-estabilidade em células que possuem apenas dois pontos quânticos e um único elétron em excesso, e é avaliada quantitativamente e qualitativamente a evolução da dinâmica de estados em células de pontos quânticos acoplados de diferentes configurações. Questões práticas para a viabilização desta tecnologia são tratadas, como a escolha dos materiais apropriados para a fabricação dessas estruturas. Também é analisado o efeito da temperatura sobre a estabilidade e a dinâmica de operação de células acopladas.

ASSUNTO(S)

pontos quânticos nanoeletrônica dissipação ohmica simulação numérica engenharia eletrica

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